[发明专利]热辅助磁头检查方法及其装置有效
申请号: | 201210175492.9 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN102810319A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 张开锋;广濑丈师;渡边正浩;本间真司;中込恒夫;德富照明;中田俊彦;立崎武弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | G11B5/455 | 分类号: | G11B5/455 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;郭凤麟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辅助 磁头 检查 方法 及其 装置 | ||
1.一种热辅助磁头元件检查装置,用于对热辅助磁头元件进行检查,其特征在于具备:
工作台单元,装载作为样品的热辅助磁头元件并能够在平面内移动;
悬臂,具备扫描在该工作台单元上装载的样品的表面的探针;
振动驱动单元,使该悬臂相对于所述样品的表面在上下方向振动;
位移检测单元,向通过该振动驱动单元进行振动的所述悬臂的与形成有所述探针的一侧相反侧的面照射光并检测来自所述悬臂的反射光,来检测所述悬臂的振动;
信号输出单元,输出用于使所述热辅助磁头元件的近场光发光部产生近场光的信号;
散射光检测单元,当所述悬臂的探针进入了根据该信号输出单元输出的信号从所述热辅助磁头元件的所述近场光发光部产生的近场光的产生区域内时,检测从所述悬臂的表面产生的散射光;以及
处理单元,使用装载有所述样品的工作台单元的位置信息和由所述散射光检测单元检测所述散射光得到的信号,来判定从所述热辅助磁头元件的所述近场光发光部产生的近场光的产生状态是否良好。
2.根据权利要求1所述的热辅助磁头元件检查装置,其特征在于,
在所述悬臂的探针的表面形成有贵金属或包括贵金属的合金的微粒或者薄膜,由所述散射光检测单元检测所述悬臂的探针进入了所述近场光的产生区域内时从在所述探针的表面形成的所述贵金属或包括贵金属的合金的微粒或者薄膜产生的散射光。
3.根据权利要求1所述的热辅助磁头元件检查装置,其特征在于,
在所述悬臂的探针的表面形成有使入射的光的波长变换后射出的材料的微粒或者薄膜,所述悬臂的探针进入了所述近场光的产生区域内时从所述探针的表面产生的散射光经由所述使入射的光的波长变换后射出的材料的微粒或者薄膜射出波长不同于所述近场光波长的散射光,由所述散射光检测单元检测该射出的波长不同于所述近场光波长的散射光。
4.根据权利要求1所述的热辅助磁头元件检查装置,其特征在于,
在所述悬臂的探针的表面形成有贵金属或包括贵金属的合金的微粒或者薄膜,在该贵金属或包括贵金属的合金的微粒或者薄膜上形成有使入射的光的波长变换后射出的材料的微粒或者薄膜,所述悬臂的探针进入了所述近场光的产生区域内时从在所述探针上形成的贵金属或包括贵金属的合金的微粒或者薄膜产生的散射光的波长经由所述使入射的光的波长变换后射出的材料的微粒或者薄膜射出波长不同于所述近场光波长的散射光,由所述散射光检测单元检测该产生的散射光。
5.根据所述权利要求1记载的热辅助磁头检查装置,其特征在于,
能够使用市场上销售的各种悬臂,其中探针为硅(Si)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN),或者在现有的AFM悬臂的薄片前端部具备以高密度碳(HDC:DLC)、CNT、CNF、钨(W)为材料的细线。
6.一种热辅助磁头元件检查装置,用于对热辅助磁头元件进行检查,其特征在于具备:
工作台单元,装载作为样品的热辅助磁头元件并能够在平面内移动;
悬臂,具备扫描在该工作台单元上装载的样品的表面的探针,在该探针的表面形成有贵金属或包括贵金属的合金的微粒或者薄膜;
振动驱动单元,使该悬臂相对于所述样品的表面在上下方向振动;
位移检测单元,向通过该振动驱动单元进行振动的所述悬臂的与形成有所述探针的一侧相反侧的面照射光并检测来自所述悬臂的反射光,来检测所述悬臂的振动;
近场光产生单元,通过向所述悬臂的前端部分照射激光,使在所述探针的表面形成的贵金属或包括贵金属的合金的微粒或者薄膜产生近场光;
散射光检测单元,当被所述振动驱动单元驱动进行振动、并通过所述近场光产生单元产生近场光的所述探针接近所述热辅助磁头元件时,检测从所述热辅助磁头元件产生的散射光;以及
处理单元,处理由所述位移检测单元检测得到的信号和由所述散射光检测单元检测所述散射光得到的信号来检查从所述热辅助磁头元件产生的近场光的产生状态。
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