[发明专利]自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室有效

专利信息
申请号: 201210175897.2 申请日: 2012-05-31
公开(公告)号: CN103456591A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 罗伟义;许颂临;倪图强 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 张静洁;徐雯琼
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 自动 频率 调谐 偏置 射频 电源 电感 耦合 等离子 处理
【权利要求书】:

1.一种自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室,其包含:

处理室(6);

阴极(7),其设置于处理室(6)内腔底部;

若干个源线圈(5),其设置于处理室(6)顶部上;

源射频电源(3),其电路连接若干所述的源线圈(5); 

偏置射频电源(2),其电路连接所述的阴极(7); 

其特征在于,所述的源射频电源(3)和偏置射频电源(2)采用具有自动频率调谐功能的射频电源;

所述的源射频电源(3)与源线圈(5)之间电路连接有匹配电路(1);

所述的偏置射频电源(2)与阴极(7)之间电路连接有匹配电路(1);

所述匹配电路(1)是固定的,源射频电源(3)和偏置射频电源(2)响应并匹配负载阻抗的变化;

该等离子处理室还包含:

检测电路,其输入端电路连接处理室(6),检测处理室(6)的负载阻抗;

控制电路,所述的源射频电源(3)和偏置射频电源(2)分别对应电路连接有控制电路,该控制电路电路连接检测电路的输出端。

2.如权利要求1所述的自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室,其特征在于,所述的源射频电源(3)和偏置射频电源(2)的频段范围为100千赫兹至100兆赫兹。

3.如权利要求2所述的自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室,其特征在于,所述的源射频电源(3)和偏置射频电源(2)的频段可采用400千赫兹、或2兆赫兹、或13.56兆赫兹、或27兆赫兹或、40兆赫兹、或60兆赫兹、或80兆赫兹、或100兆赫兹的射频频段。

4.如权利要求1所述的自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室,其特征在于,所述的匹配电路(1)采用可开关的匹配电路。

5.如权利要求4所述的自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室,其特征在于,所述的可开关的匹配电路(1)中设有射频继电器或可开关的射频发生器。

6.如权利要求1所述的自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室,其特征在于,所述的控制电路可分别设置在所述源射频电源(3)和偏置射频电源(2)各自电路连接的匹配电路(1)中,也可以分别对应设置在所述源射频电源(3)和偏置射频电源(2)中。

7.如权利要求1所述的自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室,其特征在于,所述的检测电路分别设置在各自对应的源射频电源(3)或偏置射频电源(2)所电路连接的匹配电路(1)中。

8.一种多频的自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室,其包含:

处理室(6);

阴极(7),其设置于处理室(6)内腔底部;

若干个源线圈(5),其设置于处理室(6)顶部上;

其特征在于,其还包含若干个不同频段的源射频电源(3)和若干个不同频段的偏置射频电源(2);

所述的源线圈(5)电路连接有一个多频匹配电路(1’),该多频匹配电路(1’)分别电路连接若干不同频段的所述源射频电源(3);

所述的阴极(7)也电路连接有一个多频匹配电路(1’),该多频匹配电路(1’)分别电路连接若干不同频段的所述偏置射频电源(2);

所述的多频匹配电路(1’) 是固定的,若干个源射频电源(3)和若干个偏置射频电源(2)响应并匹配负载阻抗的变化;

该等离子处理室还包含:

检测电路,其输入端电路连接处理室(6),检测处理室(6)的负载阻抗;

控制电路,若干个源射频电源(3)和若干个偏置射频电源(2)分别一一对应电路连接有控制电路,该控制电路电路连接检测电路的输出端。

9.如权利要求8所述的自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室,其特征在于,所述的源射频电源(3)和偏置射频电源(2)的频段范围为100千赫兹至100兆赫兹。

10.如权利要求9所述的自动频率调谐源和偏置射频电源的电感耦合等离子处理室,其特征在于,所述的源射频电源(3)和偏置射频电源(2)的频段可采用400千赫兹、或2兆赫兹、或13.56兆赫兹、或27兆赫兹或、40兆赫兹、或60兆赫兹、或80兆赫兹、或100兆赫兹的射频频段。

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