[发明专利]一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于：其制作步骤具体如下：

步骤1：制作外延片：在衬底（1）上依次外延生长缓冲层（2）、下限制层（3）、多量子阱有源层（4）、上限制层（5）、波导层（6）、欧姆接触层（7）、牺牲层（8）；

步骤2：采用掩膜方法在牺牲层（8）上制作掩膜（9），所述掩膜（9）的占空比随位置变化，且占空比同预期的带隙偏移量相对应；

步骤3：采入缺陷引入方法处理暴露的牺牲层（8），然后高温退火处理；

步骤4：去除残余的掩膜（9）及牺牲层（8），沿（011）晶向光刻并刻蚀波导层（6）和欧姆接触层（7），形成脊型波导结构，制作电极（10），完成器件的芯片结构制作；

步骤5：解离芯片成管芯，在管芯出光的两个端面镀膜，一端镀高反射膜，另一端镀增透膜，形成宽光谱半导体超辐射发光二极管。

2.如权利要求1所述的一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤2中的掩膜方法采用等离子体增强化学气相沉淀方法在步骤1）制作的外延片上淀积一层厚度为50-500nm的二氧化硅，光刻并采用反应离子刻蚀技术在二氧化硅上制作最小尺寸为0.1到3um，占空比为0到1的灰度图形。

3.如权利要求1所述的一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤3中的缺陷引入方法采用离子体刻蚀技术、离子注入技术、激光照射方法或者淀积介质膜方法对暴露的牺牲层（8）进行刻蚀。

4.如权利要求3所述的一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于：所述离子体刻蚀技术采用氩增强等离子，工艺条件为射频功率50~500W、感应耦合等离子体功率200~2000W、气压1~50mT、氩流量10~100sccm、刻蚀时间1~10分钟。

5.如权利要求1所述的一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤3中的高温退火处理的工艺条件为退火温度200~800度，退火时间1~10分钟。

6.如权利要求1所述的一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤1中制作外延片采用金属有机物化学气相沉淀的工艺方法。

7.如权利要求1所述的一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤4中电极制作方法为：在所述步骤4中的脊型波导上表面淀积覆盖一层二氧化硅，光刻去除设置电极区域的二氧化硅，在去除二氧化硅区域表面淀积一层金属形成电极。