[发明专利]一种四元系LED芯片及其切割方法有效
| 申请号： | 201210176154.7 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102709409A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞 | 申请（专利权）人： | 东莞洲磊电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 雷利平 |
| 地址： | 523590 广东省东莞市谢*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 四元系 led 芯片 及其 切割 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种四元系LED芯片，其特征在于：
包括作为磊晶层基板的GaAs基板；
所述GaAs基板的一面磊晶有磊晶层，即LED芯片的PN接面；
所述GaAs基板另一面镀有Au薄膜层，作为所述LED芯片的负极端；
在所述磊晶层上沉积有等间距排列的BeAu薄膜层，在所述BeAu薄膜层上还沉积有Au薄膜层，作为所述LED芯片的正极端。
2.权利要求1所述的一种四元系LED芯片的切割方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
（1）在LED芯片所述正极端一面用金刚石切割刀半切LED芯片，形成切割道，将等间距排列的LED芯片的所述正极端分隔开，LED芯片厚度为100μm-300μm；
（2）LED芯片的所述正极端贴上蓝膜，所述负极端贴上麦拉膜；
（3）将LED芯片的所述正极端朝下，所述负极端朝上放置于所述劈裂机的劈裂台上，用所述劈裂机的劈裂刀沿所述切割道将LED芯片压断，LED芯片被加工成了一个个独立的晶粒。
3.根据权利要求1所述的一种四元系LED芯片的切割方法，其特征在于：所述半切深度为25μm -250μm。
4.根据权利要求1所述的一种四元系LED芯片的切割方法，其特征在于：所述劈裂机的劈裂台空隙间距为一至两颗所述晶粒的宽度。
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