[发明专利]一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构，包括封装外壳、电极、在封装外壳内设置的热沉、在热沉上设置的激光二极管芯片，在封装外壳的侧壁上设置有输出管，其特征在于，在激光二极管芯片与封装外壳之间设置有导热绝缘片，所述激光二极管芯片的P面通过电极与外部电源的正极相连；所述激光二极管芯片的N面通过电极与外部电源的负极相连。

2.根据权利要求1所述的一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构，其特征在于，所述的导热绝缘片设置在激光二极管芯片P面与热沉上表面之间，在导热绝缘片的上表面与激光二极管芯片P面之间设置有金属层，在导热绝缘片的下表面与热沉上表面之间设置有金属层。

3.根据权利要求1所述的一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构，其特征在于，所述的导热绝缘片设置在热沉下表面与封装外壳底面之间，在导热绝缘片的上表面与热沉下表面之间设置有金属层；在导热绝缘片的下表面与封装外壳底面之间设置有金属层。

4.根据权利要求2或3所述的一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构，其特征在于，在导热绝缘片的上表面和下表面均设置金属层为钛层、金层或铜层，所述金属层的厚度范围为2-100μm，优选的，所述金属层的厚度范围为50-80μm。

5.根据权利要求1所述的一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构，其特征在于，所述导热绝缘片为绝缘碳化硅晶片、绝缘陶瓷或金刚石。

6.根据权利要求5所述的一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构，其特征在于，所述绝缘碳化硅晶片的厚度范围为200-1000μm。

7.根据权利要求5所述的一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构，其特征在于，所述的绝缘陶瓷片为氮化铝陶瓷片，氮化铝陶瓷片的厚度为200-1000μm。

8.根据权利要求1所述的一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构，其特征在于，所述的电极通过绝缘子横穿设置在封装外壳侧壁内，电极的一端与外部电源相连，电极的另一端与封装外壳内部的激光二极管芯片相连。

9.一种如权利要求2所述的一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构的封装方法，其特征在于，包括步骤如下：

（1）按现有技术在封装外壳底面设置热沉；

（2）在热沉的上表面蒸焊料，将导热绝缘片下表面的金属层与热沉固定连接，所述的焊料为熔化温度较低的铟合金或锡合金；

（3）在导热绝缘片上表面的金属层蒸焊料，将激光二极管芯片的P面与导热绝缘片上表面固定连接；

（4）将激光二极管芯片的P面通过电极与外部电源正极相连；将激光二极管芯片的N面通过电极与外部电源负极相连。

10.一种如权利要求3所述的一种光纤耦合输出半导体激光器封装结构的封装方法，其特征在于，包括步骤如下：

（1）在导热绝缘片下表面的金属层上蒸焊料，将导热绝缘片下表面与封装外壳底面固定连接；

（2）在导热绝缘片的上表面的金属层上蒸焊料，将导热绝缘片上表面与的热沉的底面固定连接；

（3）按现有技术在热沉顶面安装激光二极管芯片；

（4）将激光二极管芯片的P面通过电极与外部电源正极相连；将激光二极管芯片的N面通过电极与外部电源负极相连。