[发明专利]一种高导电性、宽光谱高透过性的MgZnAlO及其复合结构纳米纤维的制备方法无效
| 申请号： | 201210176676.7 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102851791A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 方铉;李晓妮;陈新影;方芳;魏志鹏;李金华;王晓华;楚学影;王菲;李霜;汪剑波 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | D01F9/08 | 分类号： | D01F9/08;D01D5/00;D01D10/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电性 光谱 透过 mgznalo 及其 复合 结构 纳米 纤维 制备 方法 | ||
1.一种用静电纺丝技术和原子层沉积技术相结合的方法制备高导电性、宽光谱高透过性的MgZnAlO及其复合结构的纳米纤维的方法，具体实施步骤为：
(1)配制电纺熔液，采用静电纺丝技术生长PVP纳米纤维。
(2)以PVP纳米纤维为模板，利用原子层沉积技术在其上沉积MgZnAlO薄层，构建MgZnAlO/PVP复合结构纳米纤维及MgZnAlO纳米纤维。
(3)本方法可以精确控制纤维的直径，且获得的纳米纤维表面平滑，尺寸均匀。
(4)本方法可精确的对所掺杂的Mg和Al的组分进行控制。
(5)对复合结构纳米纤维进行高温退火处理，去除PVP模板，可得到管状MgZnAlO纳米纤维。
2.根据权利要求1所述的，本发明方法可制备高导电性、宽光谱高透过性纳米纤维。
3.根据权利要求1所述的，本发明制备纳米纤维的方法的特征在于：用静电纺丝技术和原子层沉积技术相结合的方法生长MgZnAlO及其复合结构的纳米纤维。
4.根据权利要求1所述的，本发明使用原子层沉积技术，可以简单精确地根据控制循环周期在原子级别控制纳米纤维的直径。
5.根据权利要求1所述的，本发明中对所掺杂的Mg和Al的组分的控制也是比较简单和精确的。通过计算只要改变各组分中的程序设计就可根据需要精确控制各组分的含量。
6.根据权利要求1所述的，本发明制备的的MgZnAlO纳米纤维是对MgZnAlO/PVP复合纳米纤维直接进行高温退火处理，去除PVP模板。
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