[发明专利]薄膜晶体管、用于制造该薄膜晶体管的方法、以及显示设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

衬底；

设置在所述衬底的一部分上的栅电极；

覆盖所述栅电极的第一绝缘膜；

经由所述第一绝缘膜设置在所述栅电极上的氧化物半导体膜；

设置在所述氧化物半导体膜的一部分上的第二绝缘膜；以及

源电极和漏电极，所述源电极连接到所述氧化物半导体膜的第一部分，所述第一部分未用所述第二绝缘膜覆盖，所述漏电极连接到所述氧化物半导体膜的第二部分，所述第二部分未用所述第二绝缘膜覆盖，

所述氧化物半导体膜包括含有铟、镓和锌中的至少一种元素的氧化物半导体，以及

所述第一绝缘膜中的含氢浓度不小于5×10²⁰原子/cm^-3，而所述第二绝缘膜中的含氢浓度不大于10¹⁹原子/cm^-3。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体膜是氧化铟镓锌。

3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，当在从所述栅电极向所述第一绝缘膜的方向上观察时，所述栅电极的至少一部分设置在所述源电极和所述漏电极之间。

4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一绝缘膜包括二氧化硅、氮氧化硅或氮化硅。

5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第二绝缘膜的耐酸性比所述氧化物半导体膜的耐酸性高。

6.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第二绝缘膜包括氧化硅膜。

7.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体膜的厚度不小于5纳米，并且不大于50纳米。

8.一种显示设备，包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

衬底；

设置在所述衬底的一部分上的栅电极；

覆盖所述栅电极的第一绝缘膜；

经由所述第一绝缘膜设置在所述栅电极上的氧化物半导体膜；

设置在所述氧化物半导体膜的一部分上的第二绝缘膜；以及

源电极和漏电极，所述源电极连接到所述氧化物半导体膜的第一部分，所述第一部分未用所述第二绝缘膜覆盖，所述漏电极连接到所述氧化物半导体膜的第二部分，所述第二部分未用所述第二绝缘膜覆盖，

所述氧化物半导体膜包括含有铟、镓和锌中的至少一种元素的氧化物半导体，并且所述第一绝缘膜中的含氢浓度不小于5×10²⁰原子/cm^-3，而所述第二绝缘膜中的含氢浓度不大于10¹⁹原子/cm^-3；

连接到所述薄膜晶体管的源电极或漏电极的第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；以及

设置在所述第一电极和所述第二电极之间的显示层。

9.如权利要求8所述的设备，其特征在于，所述显示层是有机电致发光层。

10.如权利要求8所述的设备，其特征在于，所述衬底是透光的。

11.如权利要求8所述的设备，其特征在于，所述衬底是玻璃衬底或塑料衬底。

12.如权利要求8所述的设备，其特征在于，所述衬底是硅衬底或不锈钢衬底。

13.如权利要求8所述的设备，其特征在于，所述衬底是柔性的。

14.一种用于制造薄膜晶体管的方法，包括：

在衬底的一部分上形成栅电极；

形成覆盖所述栅电极且含氢浓度不小于5×10²⁰原子/cm^-3的第一绝缘膜；

通过使用含有铟、镓和锌中的至少一种元素的氧化物半导体在所述第一绝缘膜上形成氧化物半导体膜以面向所述栅电极；

在所述氧化物半导体膜的一部分上形成第二绝缘膜，所述第二绝缘膜的含氢浓度不大于10¹⁹原子/cm^-3；以及

形成源电极和漏电极，所述源电极连接到所述氧化物半导体膜的第一部分，所述第一部分未用所述第二绝缘膜覆盖，所述漏电极连接到所述氧化物半导体膜的第二部分，所述第二部分未用所述第二绝缘膜覆盖。