[发明专利]制造显示设备的方法

权利要求书

1.一种用于制造显示设备的方法，包括：

用于在支承衬底上形成膜材料层的过程；

用于在第一温度加热所述膜材料层以形成膜层的第一加热过程；

用于在高于所述温度的第二温度下加热围绕着第一区域的第二区域的第二加热过程，所述第一区域设置在所述膜层的中央部分中；

用于在所述第一区域的部分中形成显示层且在所述第二区域的至少一部分中形成外围电路部分的过程；

用于在高于所述第二温度的第三温度下加热在其中形成所述显示层的范围之外的所述膜层的至少一部分的第三加热过程；以及

用于将所述膜层从所述支承衬底剥离的过程。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二加热过程中所述膜层的温度高于所述第一加热过程中所述膜层的温度。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第三加热过程中所述膜层的温度高于所述第一加热过程中所述膜层的温度。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，通过用激光器照射所述膜层或通过用卤素灯加热所述膜层来执行所述第二加热过程。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，通过用激光器照射所述膜层或通过用卤素灯加热所述膜层来执行所述第三加热过程。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，通过使用灯加热退火、加热板、以及加热炉中的一个来执行所述第一加热过程。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述膜层是由含有聚酰亚胺的材料制成的。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用于形成显示层和形成所述外围电路部分的所述过程包括形成薄膜晶体管。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用于形成显示层和形成所述外围电路部分的所述过程包括形成半导体层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括氧化物半导体。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括铟、镓和锌。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用于形成所述显示层的所述过程包括形成液晶层。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用于形成所述显示层的所述过程包括形成有机电致发光层。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一加热过程中的所述膜材料层的温度不小于200°C且不大于500°C。

15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二加热过程中的所述膜材料层的温度不小于1000°C。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支承衬底是玻璃衬底。

17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三加热过程包括使用具有不小于180mJ/cm²的能量的激光器照射所述膜层。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述第二加热过程包括使用具有不小于160mJ/cm²且小于180mJ/cm²的能量的激光器照射所述膜层。

19.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一加热过程导致聚酰胺酸通过脱水经受闭环反应。

20.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三加热过程包括在所述支承衬底和所述膜层之间的至少一部分中形成空隙。