[发明专利]含钴、镍和硅的铜合金无效

专利信息
申请号: 201210178040.6 申请日: 2003-07-01
公开(公告)号: CN102816980A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: F·N·曼蒂格;P·W·罗宾逊;D·E·泰勒;A·博格尔;H-A·库恩;F·M·凯佩勒;J·西格尔 申请(专利权)人: GBC金属有限责任公司;维兰德-工厂股份公司
主分类号: C22F1/08 分类号: C22F1/08;C22C9/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李帆
地址: 美国特*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 铜合金
【权利要求书】:

1.一种制造铜基合金的方法,该方法顺序包括如下步骤:(a).铸造含有,以重量计,0.5-5.0%镍和0.1-1.5%硅的铜基合金;(b).热加工所述铸造铜基合金,第一次减小横截面积;(c).在固溶处理温度下固溶处理所述铸造铜基合金,时间为第一种时间,以有效地基本形成单相合金;(d).在所述固溶处理之后不插入任何中间冷加工,在第一次时效退火温度下,对所述基本上单相合金实施第一次时效退火,时间为第二种时间,以有效析出第二相,由此形成多相合金;(e).所述多相合金,第二次减小横截面积;以及(f).在第二次时效退火温度下,对所述多相合金进行第二次时效退火,时间为第三种时间,以便有效析出附加量的所述第二相,其中,所述第二次时效退火温度低于所述第一次时效退火温度。

2.根据权利要求1的方法,其中在所述固溶处理步骤之后,所述铜基合金的平均晶粒尺寸为20μm或更小。

3.根据权利要求1的方法,其包括一个在所述热加工步骤(b)与所述固溶处理步骤(c)之间的对所述铜基合金进行冷加工的步骤。

4.根据权利要求3的方法,其中所述热加工步骤和所述冷加工步骤包括轧制,而且所述铜基合金被加工成带材。

5.一种制造铜基合金的方法,该方法顺序包括如下步骤:(a).铸造所述含有,以重量计,0.5-5.0%镍和0.1-1.5%硅的铜基合金;(b).采用一个或多次道次,热加工所述铸造铜基合金,获得热加工产品;(c).在从高于800℃到所述铜基合金固相线温度的温度下固溶处理所述热加工产品;(d).在所述固溶处理之后不插入任何中间冷加工,在350-600℃的温度下,对所述热加工板材实施第一次时效退火,时间从30分钟到30小时;(e).冷加工所述热加工板材,使横截面积减小10-50%,获得一种产品;以及(f).在比所述第一次析出退火温度低的温度下,对所述产品进行第二次时效退火。

6.根据权利要求5的方法,其中所述热加工的温度为850-1000℃,所述固溶处理温度为800-1000℃。

7.根据权利要求6的方法,其还包括在所述热加工步骤(b)之后对所述铜基合金进行淬火的步骤。

8.根据权利要求7的方法,其中所述第一次时效退火温度为475-550℃,所述第二次时效退火温度为350-500℃。

9.根据权利要求8的方法,其还包括一个在所述淬火和所述固溶处理步骤(c)之间将所述铜合金冷加工至对固溶处理有效的尺寸的步骤。

10.根据权利要求9的方法,其中所述热加工步骤和所述冷加工步骤均包括轧制,由此,将所述铜合金加工成带材。

11.根据权利要求9的方法,其中对所述铜合金进行选择,以具有以下组成:1-2.5%镍,0.5-2.0%钴,镍与钴总含量为1.7-4.3%,0.5-1.5%硅,(Ni+Co)/Si之比值2∶1-7∶1,余者为铜和不可避免的杂质。

12.根据权利要求9的方法,其中对所述铜合金进行选择,以具有以下组成:1-2.5%镍,0.5-2.0%钴,镍与钴总含量为1.7-4.3%,0.5-1.5%硅,(Ni+Co)/Si之比值2∶1-7∶1,从能够改善屈服强度与导电性的组合的有效量到最多1.0%的银、钛、锆以及它们的组合,最多0.15%的镁,余者为铜和不可避免的杂质。

13.根据权利要求9的方法,其中对所述铜合金进行选择,以具有以下组成:2.2-4.2%镍,0.25-1.2%硅,0.05-0.30%镁,余者为铜。

14.一种制造铜基合金的方法,该方法顺序包括如下步骤:(a).铸造所述含有,以重量计,0.5-5.0%镍和0.1-1.5%硅的铜基合金;(b).采用一个或多次道次,热加工所述铸造铜基合金,获得热加工产品;(c).在350-600℃的温度下,对所述热加工产品实施第一次时效退火,时间从30分钟到30小时;(d).冷加工所述热加工产品,使横截面积减小10-50%,获得一种产品;以及(e).在比所述第一次析出退火温度低的温度下,对所述产品进行第二次时效退火。

15.根据权利要求14的方法,其中所述热加工温度为850-1000℃。

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