[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法无效
| 申请号： | 201210178335.3 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102683375A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 陈雷 | 申请（专利权）人： | 昆山锐芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制作方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：
作为光电转换装置的光接收阵列；
置于所述光接收阵列之上的金属互连结构，所述金属互连结构包括金属互连线及填充于所述金属互连线间的介质层；
置于所述光接收阵列之上的滤色镜阵列；
置于所述金属互连结构之上的微透镜阵列；
其中，所述光接收阵列、所述滤色镜阵列、所述微透镜阵列分别包括多个单元，且所述滤色镜阵列的单元位于所述金属互连结构的介质层内且每个单元被所述金属互连结构的金属互连线分隔，所述滤色镜阵列的单元、所述光接收阵列的单元、微透镜阵列的单元分别对应。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述滤色镜阵列的单元为矩形。
3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述滤色镜阵列的单元为楔形，所述楔形较小的底部对应所述光接收单元，所述楔形较大的顶部对应所述微透镜阵列的单元。
4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述滤色镜阵列为红、绿、蓝滤色镜阵列或青、红紫、黄滤色镜阵列。
5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述滤色镜阵列的单元的侧壁上形成有铝层。
6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光接收阵列的单元为光电二极管。
7.一种CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成作为光电转换装置的光接收阵列；
在所述半导体衬底的表面形成金属互连结构，所述金属互连结构包括金属互连线及填充于所述金属互连线间的介质层；
在所述介质层内形成多个槽，所述每个槽对应所述光接收阵列的单元；
在所述槽内填入滤色材料；
在所述槽及所述介质层上形成微透镜阵列，所述微透镜阵列的单元对应所述每个槽。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述介质层内形成多个槽的步骤采用光刻、干法刻蚀。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述介质层内形成多个槽后，还在所述槽的侧壁形成铝层。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述槽的侧壁形成铝层的步骤包括：在所述槽的内部及外部溅射铝层，利用酸性溶液或干法刻蚀去除槽底部及外部的铝层。
11.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述槽内填入滤色材料形成拜耳图案。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
