[发明专利]碱金属铷化合物作为缓冲层或电子注入层的有机半导体器件

权利要求书

1.一种有机半导体器件，其特征在于：以Rb化合物作为有机半导体器件的阴极缓冲层材料，该阴极缓冲层处于有机半导体器件的有机层和阴极之间。

2.一种有机半导体器件，其特征在于：以作为N型掺杂剂的Rb化合物和有机材料共掺杂作为电子注入层材料，该电子注入层处于有机半导体器件的有机层和阴极之间。

3.如权利要求1或2所述的一种有机半导体器件，其特征在于：有机半导体器件为有机发光器件、有机太阳能电池或有机薄膜晶体管。

4.如权利要求3所述的一种有机半导体器件，其特征在于：Rb的化合物为RbBr，Rb₂CO₃，Rb₂SO₄，RbOH，RbNO₃，RbClO₄，RbCl，RbI或RbF。

5.如权利要求4所述的一种有机半导体器件，其特征在于：器件的结构为ITO玻璃/NPB/Alq₃/RbBr/Al，其中NPB作为空穴传输层材料，Alq₃作为电子传输层和发光层材料，RbBr作为阴极缓冲层材料。

6.如权利要求5所述的一种有机半导体器件，其特征在于：NPB的厚度为60nm，Alq₃和RbBr的厚度和为60nm，其中RbBr的厚度为2~8nm。

7.如权利要求4所述的一种有机半导体器件，其特征在于：器件的结构为ITO/MoO₃/NPB/Alq₃/RbBr：Alq₃/Al，其中MoO₃作为空穴注入层材料，NPB作为空穴传输层材料，Alq₃作为电子传输层和发光层材料，Alq₃：RbBr共掺杂作为电子注入层材料。

8.如权利要求7所述的一种有机半导体器件，其特征在于：MoO₃的厚度为8nm，NPB的厚度为50nm，Alq₃的厚度为50nm，RbBr：Alq₃共掺杂的厚度为10nm，其中RbBr的掺杂体积浓度为2~8%。