[发明专利]层状双氢氧化物纳米带的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及层状双氢氧化物的制备方法，特别是一种层状双氢氧化物纳米带的制备方法。 

背景技术

一维纳米材料主要包括纳米线、纳米棒、纳米带、纳米管、纳米电缆等,由于其不仅具有通常纳米材料所具有的表面效应、量子尺寸效应和小尺寸效应等,还具有其独特的热稳定性、机械性能、电子传输和光子传输性、光学性质、光电导和场发射效应等,使其具有广泛的应用前景。纳米带作为一种典型的一维纳米材料，一些均一性良好的氧化物、硫化物和单质纳米带的成功合成均已有相关报道（(a) Pan, Z. W.; Dai, Z. R.; Wang, Z. L. Science 2001, 291, 1947–1949. (b) Kim, F.; Song, J. H.; Yang, P. D. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 14316–14317. (c) Nakayama, Y.; Pauzauskie, P. J.; Radenovic, A.; Onorato, R. M.; Saykally, R. J.; Liphardt, J.; Yang, P. D. Nature 2007, 447, 1098–1101.）。），但鲜有关于一维层状双氢氧化物纳米带的文献报道。 

层状双氢氧化物与天然的水滑石具有类似结构，其结构通式为 [M(II)_1?xM(III)_x·(OH)₂]^x+[A^n?]_x/n，其中M（II） 指二价金属阳离子M（III）指三价金属阳离子A^n?为碱性溶液中可稳定存在的阴离子，此结构由M(OH)₆ 八面体共用棱形成单元层，部分M（II）被M（III）替代而产生正电性，并由层间阴离子来平衡，层状双氢氧化物内层组分具有多样性，可容纳多种阳离子如Mg²⁺、Ni²⁺、Co²⁺、Zn²⁺、Cu²⁺以及Al³⁺、 Cr³⁺、Fe³⁺、 Sc³⁺、 Ga³⁺等。处于层状双氢氧化物结构层间的阴离子可以被其他阴离子交换，因而具有优异的阴离子交换性能。正是由于层状双氢氧化物的成分可以在较大范围内调控、特殊的结构和性质以及有着广泛的应用前景。而层状双氢氧化物纳米结构材料的研究也吸引了国内外众多学者的关注。很多学者利用模板法或是表面活性剂的方法合成了诸如环状、管状、花状（(a) Yang, M. S.; Liu, J. F.; Chang, Z.; Williams, G. R.; O’Hare, D.; Zheng, X. H.; Sun, X.M. Duan, X. J. Mater. Chem. 2011, 21, 14741-14746. (b) Zhao, Y.; Xiao, F. F.; Jiao, Q. Z. Journalof Nanotechnology 2011, 646409. (c) Xiao,T. Tang, Y. W.; Jia, Z. Y.; Li, D. W.; Hu, X.Y.; Li, B.H.; Luo, L. J. Nanotechnology, 2009, 20, 475603.）等不同形貌的层状双氢氧化物，但是在制备的后处理过程中，诸如去除模板时会引起结构坍塌以及表面活性剂洗脱不干净等问题。 

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中存在的问题，提供一种在相对温和的条件下，在无模板和表面活性剂的情况下制备纵横比较大的层状双氢氧化物纳米带的方法。 

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案： 

一种层状双氢氧化物纳米带的制备方法，其特征在于该方法的具体步骤为：

a、将二价和三价金属的可溶性盐溶于去离子水中，二价和三价金属离子摩尔比为1:1~3:1，得到溶液A；