[发明专利]像素电路、显示装置、电子装置和像素电路驱动方法有效
申请号: | 201210179273.8 | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN102819996A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 三并彻雄;内野胜秀 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/32;G09G3/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 显示装置 电子 装置 驱动 方法 | ||
1.一种像素电路,包括:
发光元件;
存储电容器;
写晶体管,用于将对应于视频信号的驱动电压写到所述存储电容器;以及
驱动晶体管,用于基于写到所述存储电容器的驱动电压,驱动所述发光元件,
其中能够以与将对应于所述视频信号的驱动电压写到所述存储电容器的处理操作关联的方式,控制所述写晶体管的特性。
2.根据权利要求1所述的像素电路,还包括:
特性控制部分,其构造为以与将对应于所述视频信号的驱动电压写到所述存储电容器的处理操作关联的方式,控制所述写晶体管的特性。
3.根据权利要求1所述的像素电路,
其中在将对应于所述视频信号的驱动电压写到所述存储电容器的处理的时段中,增加所述写晶体管的写能力。
4.根据权利要求3所述的像素电路,
其中与将对应于所述视频信号的驱动电压写到所述存储电容器的处理的开始的同时增加所述写晶体管的写能力。
5.根据权利要求3所述的像素电路,
其中与将对应于所述视频信号的驱动电压写到所述存储电容器的处理的开始的同时降低所述写晶体管的阈值电压。
6.根据权利要求1所述的像素电路,
其中所述写晶体管具有能够控制阈值电压的特性控制端子,并且
特性控制部分用于将控制所述阈值电压的控制信号施加到所述特性控制端子。
7.根据权利要求6所述的像素电路,
其中所述写晶体管是金属氧化物膜型场效应晶体管。
8.根据权利要求6所述的像素电路,
其中所述写晶体管是背栅型薄膜晶体管。
9.根据权利要求6所述的像素电路,
其中在所述写晶体管的特性控制端子和控制电极端子之间设置电容元件,向所述控制电极端子施加用于控制所述写晶体管的导通/非导通的控制信号。
10.根据权利要求9所述的像素电路,还包括:
时间常数调整部分,其构造为通过所述电容元件调整施加到所述特性控制端子的信号的时间常数。
11.根据权利要求10所述的像素电路,
其中所述时间常数调整部分具有连接到所述特性控制端子的电阻元件。
12.根据权利要求6所述的像素电路,
其中在所述特性控制端子和用于传输所述视频信号的视频信号线之间设置电容元件。
13.根据权利要求6所述的像素电路,
其中对应于用于控制所述写晶体管的导通/非导通的控制信号的脉冲信号被施加到所述特性控制端子。
14.根据权利要求13所述的像素电路,还包括以下至少一个:
脉冲宽度调整部分,其构造为调整用于控制所述写晶体管的导通/非导通的控制信号的脉冲宽度,以及将所述控制信号施加给所述特性控制端子,所述脉冲宽度将所述写晶体管设置在导通状态中;以及
振幅调整部分,其构造为调整施加给所述特性控制端子的信号的振幅。
15.根据权利要求1所述的像素电路,还包括:
像素部分,在所述像素部分中布置发光元件,
其中特性控制部分控制每个发光元件中的写晶体管的特性。
16.根据权利要求15所述的像素电路,
其中所述像素部分具有以二维矩阵形式布置的所述发光元件。
17.一种显示装置,包括:
多个像素电路,所述像素电路包括发光元件、存储电容器、将对应于视频信号的驱动电压写到所述存储电容器的写晶体管、以及用于基于写到所述存储电容器的驱动电压驱动所述发光元件的驱动晶体管,所述像素电路被布置;以及
特性控制部分,其构造为以与将对应于所述视频信号的驱动电压写到所述存储电容器的处理操作关联的方式,控制所述写晶体管的特性。
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