[发明专利]晶体管结构与其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管结构，包含：

一半导体基板(61)；

一第一导电层(69)，具有一下半部(69B)位于该半导体基板(61)内，以及一上半部(69A)位于该半导体基板(61)上；

一第二导电层(71)，位于该第一导电层(69)的上半部(69A)之上；

一覆盖层(73)，位于该第二导电层(71)之上；

一上绝缘层(85)，至少位于该第二导电层层(71)以及该覆盖层(73)的侧壁；以及

一下绝缘层(83)，位于该第一导电层(69)的上半部(69A)的侧壁。

2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中该上绝缘层(85)以及该下绝缘层(83)由不同材料组成。

3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中该下绝缘层(83)包含氧化硅。

4.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中该上绝缘层(85)包含氮化硅。

5.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中该上绝缘层(85)以及该下绝缘层(83)具有不同厚度。

6.根据权利要求5所述的晶体管结构，其中该上绝缘层(85)的厚度小于该下绝缘层(83)的厚度。

7.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中该第二导电层(71)以及该第一导电层(69)的上半部(69A)具有不同厚度。

8.根据权利要求7所述的晶体管结构，其中该第一导电层(69)的上半部(69A)的厚度大于该第二导电层(71)的厚度。

9.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中该覆盖层(73)以及该第一导电层(69)的上半部(69A)具有不同厚度。

10.根据权利要求9所述的晶体管结构，其中该第一导电层(69)的上半部(69A)的厚度小于该覆盖层(73)的厚度。

11.一种晶体管结构的制造方法，包含以下步骤：

形成一凹陷(65)于一半导体基板(61)中；

形成一第一导电层(69)于该半导体基板(61)之上，并填满该凹陷(65)；

形成一第二导电层(71)于该第一导电层(69)之上；

形成一凹槽(75)于该第一导电层(69)以及该第二导电层(71)中，其中该凹槽(75)具有一底部(75A)位于该第一导电层(69)中；

进行一离子注入步骤，通过该凹槽(75)以形成一注入区(77)位于该凹槽(75)下的第一导电层(69)中；

进行一热处理步骤以形成位于该注入区(77)旁的一扩散区(79)；

进行一蚀刻步骤以移除该注入区(77)；以及

进行一氧化步骤以转换该扩散区(79)成为一下绝缘层(83)。

12.根据权利要求11所述的晶体管结构的制造方法，其中该离子注入步骤于该第一导电层(69)注入掺杂物，且该掺杂物包含氟。

13.根据权利要求12所述的晶体管结构的制造方法，其中该离子注入步骤所使用的能量介于2KeV至10KeV之间，该离子注入步骤所使用的掺杂浓度介于3E15cm^-2至3E16cm^-2之间。

14.根据权利要求12所述的晶体管结构的制造方法，其中该热处理步骤扩散该掺杂物至该第一导电层(69)与该半导体基板(61)间的一栅极介电层(67)。

15.根据权利要求11所述的晶体管结构的制造方法，其中该热处理步骤藉由一沉积步骤以形成一上绝缘层(85)，该上绝缘层(85)至少位于该第二导电层(71)的侧壁。

16.根据权利要求15所述的晶体管结构的制造方法，其中该上绝缘层(85)以及该下绝缘层(83)具有不同厚度。

17.根据权利要求16所述的晶体管结构的制造方法，其中该上绝缘层(85)的厚度小于该下绝缘层(83)的厚度。