[发明专利]一种基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法

权利要求书

1.一种基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法，其特征在于基于栅控产生电流获取MOSFET平带电压V_TB的方法步骤为：1)悬空MOSFET源端电极，漏电电极上施加一小漏电压V_D，且|V_D|＜＝0.2V；2)扫描栅电压V_G，使沟道从积累区到反型区变化，测量漏极电流即得到栅控漏极产生电流I_GD；3)对得到的栅控产生电流曲线I_GD进行二次偏导运算得到二次导数和栅电压V_G的关系曲线，其二次导数曲线会形成对应于I_GD-V_G曲线的上升沿的峰值点Pu；4)从Pu点做垂线交于栅电压轴得到一个电压，此电压即为平带电压V_FB。

2.根据权利要求1所述的基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法，其特征在于基于栅控产生电流获取MOSFET阈值电压V_TH的方法步骤为：1)悬空MOSFET源端电极，漏电电极上施加一小漏电压V_D，且|V_D|＜＝0.2V；2)扫描栅电压V_G，使沟道从积累区到反型区变化，测量漏极电流即得到栅控漏极产生电流I_GD；3)对得到的栅控产生电流曲线I_GD进行二次偏导运算得到二次导数和栅电压V_G的关系曲线，其二次导数曲线会形成对应于I_GD-V_G曲线的下降沿峰值点Pd；4)从Pd点做垂线交于栅电压轴得到一个电压，此电压即为阈值电压V_TH。

3.根据权利要求1所述的基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法，所述的MOSFET为N型，V_D＞0V，且V_D＜＝0.2V。

4.根据权利要求1所述的基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法，所述的MOSFET为P型，V_D＜0V，且V_D＞＝-0.2V。

5.根据权利要求1所述的基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法，所述的扫描栅电压V_G使得沟道从积累区、耗尽区到反型区变化。