[发明专利]蚀刻液及导体图案的形成方法

权利要求书

1.蚀刻液，含有铜离子源、酸和水，还含有仅以氮原子作为环内杂原子的唑，以及酚类。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，还含有过氧化氢。

3.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述酚类的浓度范围为0.01～20g/L。

4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述铜离子源以铜离子浓度计为14～155g/L，所述酸为7～180g/L，所述唑为0.1～50g/L。

5.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述唑为四唑类化合物。

6.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述酚类是选自苯酚磺酸或其盐、甲酚磺酸或其盐、水杨酸或其盐、木质磺酸或其盐和2，4，6－三（二甲氨基甲基）苯酚中的至少一种。

7.根据权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于，所述过氧化氢的浓度范围为0.01～20g/L。

8.导体图案的形成方法，其特征在于，用权利要求1～7中任一项所述的蚀刻液对电绝缘件上的铜层中未被抗蚀剂覆盖的部分进行蚀刻，形成导体图案。

9.根据权利要求8所述的导体图案的形成方法，其特征在于，边向所述蚀刻液中添加过氧化氢，使所述蚀刻液中生成的亚铜离子的浓度在5g/L以下，边进行蚀刻。

10.根据权利要求8所述的导体图案的形成方法，其特征在于，边将所述蚀刻液中含有的唑浓度维持在0.1～50g/L，边进行蚀刻。

11.根据权利要求8所述的导体图案的形成方法，其特征在于，边添加含有酸、仅以氮原子作为环内杂原子的唑和酚类的补给液，边进行蚀刻。

12.根据权利要求11所述的导体图案的形成方法，其特征在于，所述补给液中，所述酸的浓度范围为7～360g/L，所述唑的浓度范围为0.1～50g/L，所述酚类的浓度范围为0.01～20g/L。