[发明专利]伪晶型高电子迁移率晶体管和异质接面双极晶体管磊晶改良结构及其加工方法

权利要求书

1.一种伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构，其特征在于，包括有：

一基板；

一缓冲层，形成于该基板之上；

一能障层，形成于该缓冲层之上；

一第一通道间格层，形成于该能障层之上；

一通道层，形成于该第一通道间格层之上；

一第二通道间格层，形成于该通道层之上；

一萧基能障层，形成于该第二通道间格层之上；

一蚀刻终止层，形成于该萧基能障层之上；

至少一覆盖层，形成于该蚀刻终止层之上；

一栅极凹槽，先经由至少一道蚀刻加工，而蚀刻终止于该萧基能障层上方所形成的凹槽；

一栅极电极，设置于该栅极凹槽内，该萧基能障层之上；

一漏极电极，设置于该覆盖层的一端上；以及

一源极电极，设置于该覆盖层的另一端上。

2.根据权利要求1所述的伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构，其特征在于，构成该通道层的材料为砷化铟镓的合金化合物半导体，且该砷化铟镓中的铟含量x大于0小于0.5。

3.根据权利要求1所述的伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构，其特征在于，该通道层的厚度在大于小于之间。

4.根据权利要求1所述的伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构，其特征在于，构成该第一通道间格层及该第二通道间格层的材料为砷化镓。

5.根据权利要求1所述的伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构，其特征在于，该第一通道间格层及该第二通道间格层的厚度在大于小于之间。

6.根据权利要求1所述的伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构，其特征在于，于该覆盖层之上，更设置至少一上层覆盖迭加层，使该上层覆盖迭加层介于该覆盖层与该漏极电极以及该源极电极之间，且其中该上层覆盖迭加层的结构包括有：

至少一迭加覆盖层，藉此形成该上层覆盖迭加层。

7.根据权利要求6所述的伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构，其特征在于，于该上层覆盖迭加层的结构，更设置一迭加蚀刻终止层于该迭加覆盖层之下，使该上层覆盖迭加层的结构包括有：

该迭加蚀刻终止层；以及

该迭加覆盖层，形成于该迭加蚀刻终止层之上，藉此形成该上层覆盖迭加层。

8.一种伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

于一基板上，依序形成一缓冲层、一能障层、一第一通道间格层、一通道层、一第二通道间格层、一萧基能障层、一蚀刻终止层以及至少一覆盖层；

以曝光显影技术划定一栅极凹槽区，先对该覆盖层进行蚀刻，使蚀刻终止于该蚀刻终止层；再对该蚀刻终止层进行蚀刻，使蚀刻终止于该萧基能障层，而形成一栅极凹槽；以及

于该栅极凹槽内，该萧基能障层之上，镀上一栅极电极，并使该栅极电极与该萧基能障层形成萧基接触。

9.根据权利要求8所述的伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构的加工方法，其特征在于，构成该通道层的材料为砷化铟镓的合金化合物半导体，且该砷化铟镓中的铟含量x在大于0小于0.5之间。

10.根据权利要求8所述的伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构的加工方法，其特征在于，该通道层的厚度大于小于

11.根据权利要求8所述的伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构的加工方法，其特征在于，构成该第一通道间格层及该第二通道间格层的材料为砷化镓者。

12.根据权利要求8所述的伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构的加工方法，其特征在于，该第一通道间格层及该第二通道间格层的厚度大于小于

13.根据权利要求8所述的伪晶型高电子迁移率晶体管改良结构的加工方法，其特征在于，更于该覆盖层的一端上，镀上一漏极电极，并使该漏极电极与该覆盖层形成欧姆接触；且更于该覆盖层的另一端上，镀上一源极电极，并使该源极电极与该覆盖层形成欧姆接触。