[发明专利]功率器件和制造该功率器件的方法

权利要求书

1.一种功率器件，所述功率器件包括：

基板；

半绝缘GaN层，形成在基板上；

Al掺杂GaN层，形成在半绝缘GaN层上；

第一氮化物层，形成在Al掺杂GaN层上；

第二氮化物层，形成在第一氮化物层上；

源电极图案和漏电极图案，形成在第一氮化物层上；以及

栅电极图案，形成在第二氮化物层上。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其中，第一氮化物层包括实验式1的材料：

[实验式1]

Al_xIn_yGa_1-xN，

其中，0.1≤x≤1和O≤y≤0.3。

3.根据权利要求2所述的功率器件，其中，第二氮化物层包括与第一氮化物层的材料相同的材料。

4.根据权利要求2所述的功率器件，其中，第二氮化物层包括与用p型材料掺杂的第一氮化物层的材料对应的材料。

5.根据权利要求3所述的功率器件，其中，当在实验式1中x在0.1≤x≤0.5的范围内且y是O时，第二氮化物层的厚度在20nm至70nm的范围内。

6.根据权利要求3所述的功率器件，其中，当在实验式1中x是1且y是0时，第二氮化物层的厚度在2nm至7nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的功率器件，所述功率器件还包括：

形成在第二氮化物层和源电极图案之间的绝缘图案，以及形成在第二氮化物层和漏电极图案之间的绝缘图案。

8.根据权利要求7所述的功率器件，其中，绝缘图案选自于由氧化硅、氮化硅和氧化铝组成的组。

9.一种制造功率器件的方法，所述方法包括：

在基板上形成半绝缘GaN层；

在半绝缘GaN层上形成Al掺杂GaN层；

在Al掺杂GaN层上形成第一氮化物层；

在第一氮化物层上形成第二氮化物层；

在第一氮化物层上形成源电极图案和漏电极图案；以及

在第二氮化物层上形成栅电极图案。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在形成第一氮化物层之后，通过在栅电极图案的下部上再生长氮化物来形成第二氮化物层。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，在形成第一氮化物层之后，通过蚀刻除了栅电极图案的下部之外的部分来形成第二氮化物层。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，第一氮化物层包括实验式1的材料：

[实验式1]

Al_xIn_yGa_1-xN，

其中，0.1≤x≤1和0≤y≤0.3。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，第二氮化物层包括与第一氮化物层的材料相同的材料。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，第二氮化物层包括与用p型材料掺杂的第一氮化物层的材料对应的材料。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，当在实验式1中x在0.1≤x≤0.5的范围内且y是0时，第二氮化物层的厚度在20nm至70nm的范围内。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，当在实验式1中x是1且y是0时，第二氮化物层的厚度在2nm至7nm的范围内。