[发明专利]RFLDMOS工艺中的ESD器件及其制造方法

权利要求书

1.一种RFLDMOS工艺中的ESD器件，ESD器件为N型LDMOS器件，包括：

形成于P阱之上的多晶硅栅，所述多晶硅栅和所述P阱之间隔离有栅介质层；

在所述多晶硅栅的两侧侧面上形成有侧墙；

在所述多晶硅栅的源端一侧的所述P阱中形成有N型轻掺杂漏注入区和N型源漏注入区，所述N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘对准，源端一侧的所述N型源漏注入区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘对准；源端一侧的所述N型源漏注入区的结深大于所述N型轻掺杂漏注入区的结深；

其特征在于，还包括：

在所述多晶硅栅的漏端一侧的所述P阱中形成有第二N型轻掺杂漏注入区、N型源漏注入区以及用于降低所述ESD器件的击穿电压的第二P型轻掺杂漏注入区；所述第二N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘对准，漏端一侧的所述N型源漏注入区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘相隔一段距离；所述第二P型轻掺杂漏注入区的靠近所述多晶硅栅一侧的内侧边缘位于漏端一侧的所述N型源漏注入区的远离所述多晶硅栅一侧的外侧边缘的外侧，且所述第二P型轻掺杂漏注入区的内侧边缘和漏端一侧的所述N型源漏注入区的外侧边缘相隔一横向距离；所述N型源漏注入区的结深小于所述第二N型轻掺杂漏注入区的结深、且所述N型源漏注入区位于所述第二N型轻掺杂漏注入区中；所述第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于等于所述第二N型轻掺杂漏注入区的结深，所述第二P型轻掺杂漏注入区的底部和所述P阱相接触、所述第二P型轻掺杂漏注入区的周侧和所述第二N型轻掺杂漏注入区相接触。

2.如权利要求1所述RFLDMOS工艺中的ESD器件，其特征在于：所述第二P型轻掺杂漏注入区的工艺条件和所述RFLDMOS工艺中的P型LDMOS的漏端的第二P型轻掺杂漏注入区的工艺条件相同。

3.如权利要求1所述RFLDMOS工艺中的ESD器件，其特征在于：所述第二P型轻掺杂漏注入区的内侧边缘和漏端一侧的所述N型源漏注入区的外侧边缘相隔的横向距离为：0.3微米～1.5微米。

4.一种RFLDMOS工艺中的ESD器件的制造方法，其特征在于，在P阱之上形成栅介质层和多晶硅栅之后，包括如下步骤：

步骤一、进行N型轻掺杂漏注入，在所述多晶硅栅的源端一侧的所述P阱中形成N型轻掺杂漏注入区，所述N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘对准；

步骤二、进行第二N型轻掺杂漏注入，在所述多晶硅栅的漏端一侧的所述P阱中形成第二N型轻掺杂漏注入区，所述第二N型轻掺杂漏注入区围出一块第二P型轻掺杂漏注入区形成区域，所述第二P型轻掺杂漏注入区形成区域未进行第二N型轻掺杂漏注入；所述第二N型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述多晶硅栅的边缘对准；

步骤三、进行第二P型轻掺杂漏注入，在所述第二P型轻掺杂漏注入区形成区域中形成第二P型轻掺杂漏注入区；在所述多晶硅栅的两侧侧面上形成侧墙；所述第二P型轻掺杂漏注入区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘相隔一段距离；

步骤四、进行N型源漏注入，在所述多晶硅栅两侧的所述P阱中形成N型源漏注入区，在所述多晶硅栅的源端一侧的所述N型源漏注入区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘对准；在所述多晶硅栅的漏端一侧的所述N型源漏注入区的边缘和其邻近的所述侧墙的外侧边缘相隔一段距离，且所述第二P型轻掺杂漏注入区的靠近所述多晶硅栅一侧的内侧边缘位于漏端一侧的所述N型源漏注入区的远离所述多晶硅栅一侧的外侧边缘的外侧，且所述第二P型轻掺杂漏注入区的内侧边缘和漏端一侧的所述N型源漏注入区的外侧边缘相隔一横向距离；所述N型源漏注入区的结深小于所述第二N型轻掺杂漏注入区的结深、且漏端一侧的所述N型源漏注入区位于所述第二N型轻掺杂漏注入区中；所述第二P型轻掺杂漏注入区的结深大于等于所述第二N型轻掺杂漏注入区的结深，所述第二P型轻掺杂漏注入区的底部和所述P阱相接触、所述第二P型轻掺杂漏注入区的周侧和所述第二N型轻掺杂漏注入区相接触。

5.如权利要求4所述的RFLDMOS工艺中的ESD器件的制造方法，其特征在于：步骤三中所述第二P型轻掺杂漏注入的工艺条件和所述RFLDMOS工艺中的P型LDMOS的漏端的第二P型轻掺杂漏注入的工艺条件相同。