[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包含：

提供一基板；

形成至少一磊晶结构于该基板上；

切割并剥离所述基板的一部分，以曝露该磊晶结构的一部分表面；及

形成一第一电极于所述部份表面。

2.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其中所述基板的切割与剥离系使用一雷射光剥离技术，其中该雷射光的光波长介于一第一光波段。

3.根据权利要求2所述半导体装置的制造方法，其中所述基板的材质可吸收所述第一光波段，并供一第二光波段穿透，且所述第一光波段与该第二光波段相异。

4.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其中所述基板的材质为非导体。

5.根据权利要求所述半导体装置的制造方法，其中所述磊晶结构的材质包含三族氮化物。

6.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其中所述至少一磊晶结构包含多个磊晶结构，相邻的所述些磊晶结构通过一隧道结而形成一堆栈磊晶结构。

7.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，于形成所述磊晶结构之前，还包含：

图形化所述基板面向所述磊晶结构的表面。

8.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，于切割及剥离所述基板之前，还包含抛光研磨所述基板使其厚度变薄。

9.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，还包含形成一第二电极于所述磊晶结构相对于所述基板的另一侧。

10.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，还包含：

提供一导电基板；及

耦接该导电基板于所述至少一磊晶结构相对于所述基板的另一侧。

11.一种半导体装置，包含：

一基板，该基板具有一空缺区；

至少一磊晶结构，形成于所述基板上，所述空缺区曝露所述磊晶结构的一部分表面；及

一第一电极，形成于所述部分表面。

12.根据权利要求11所述半导体装置，其中所述基板的材质可吸收一第一光波段而被部分剥离，形成所述空缺区，并供一第二光波段穿透，且该第一光波段与该第二光波段相异。

13.根据权利要求11所述半导体装置，其中所述基板的材质为非导体。

14.根据权利要求11所述半导体装置，其中所述磊晶结构的材质包含三族氮化物。

15.根据权利要求11所述半导体装置，其中所述磊晶结构包含一第一掺杂层、一主动层及一第二掺杂层，该第一掺杂层靠近所述基板，所述空缺区曝露所述第一掺杂层的所述部分表面，该第二掺杂层远离所述基板，该主动层位于所述第一掺杂层与所述第二掺杂层之间，且所述第一掺杂层的电性相反于所述第二掺杂层的电性。

16.根据权利要求12所述半导体装置包括一发光装置，其中所述第二光波段系介于400纳米至1600纳米。

17.根据权利要求12所述半导体装置包括一光伏电池，其中所述第二光波段系介于200纳米至2000纳米。

18.根据权利要求11所述半导体装置，其中所述至少一磊晶结构包含多个磊晶结构，相邻的所述些磊晶结构通过一隧道结而形成一堆栈磊晶结构。

19.根据权利要求11所述半导体装置，其中所述基板具有一图形化表面，所述图形化表面朝向所述磊晶结构。

20.根据权利要求11所述半导体装置，还包含一第二电极，形成于所述磊晶结构相对于所述基板的另一侧。

21.根据权利要求11所述半导体装置，还包含一导电基板，该导电基板耦接于所述至少一磊晶结构相对于所述基板的另一侧。

22.根据权利要求21所述半导体装置，其中耦接于所述导电基板的所述至少一磊晶结构包含多个磊晶结构，所述多个磊晶结构互为并联或串联以形成一半导体装置阵列。