[发明专利]一种障壁式场致发射显示器的结构

权利要求书

1.一种障壁式场致发射显示器的结构，其特征在于：包括一阳极板、一封接在该阳极板上的阴极板以及粘结在该阴极板边缘的吸气剂和排气管；

所述的阳极板包括：

一阳极基板；

整数条相互平行的引流电极，该引流电极设于所述的阳极基板上；以及

一障壁结构，该障壁结构包括设置在该引流电极上的刻蚀型介质层，该刻蚀型介质层上刻蚀有整数个凹槽，所述凹槽的内壁表面依次设置有导电层和荧光粉层，

所述的导电层与所述引流电极导通；

所述的阴极板包括：

一阴极基板；

整数条阴极电极，该阴极电极设置在所述阴极基板的下表面，且处于所述凹槽的上方；以及

设置在该阴极电极上的电子发射层。

2.根据权利要求1所述障壁式场致发射显示器的结构，其特征在于：所述凹槽的横截面形状为半圆形或倒梯形。

3.根据权利要求1所述的障壁式场致发射显示器的结构，其特征在于：所述的刻蚀型介质层的厚度范围为30～5000μm；所述的刻蚀型介质层是刻蚀型介质浆料、低熔点玻璃粉浆料或是Si₃N₄、SiO₂、Al₂O₃、MgO、TiO₂、Ta₂O₅、SiC、氮化硼、硅酸盐中的一种或多种复合形成的无机化合物绝缘体材料。

4.根据权利要求1所述的障壁式场致发射显示器的结构，其特征在于：所述阴极电极是丝状阴极电极，其电极宽度范围为1~100μm，电极厚度范围为0.1~50μm。

5.根据权利要求4所述的障壁式场致发射显示器的结构，其特征在于：所述丝状阴极电极的横截面形状是梯形、半圆形或椭圆形。

6.一种障壁式场致发射显示器的结构，其特征在于：包括一阳极板、一封接在该阳极板上的阴极板以及粘结在该阴极板边缘的吸气剂和排气管；

所述的阳极板包括：

一阳极基板；

一障壁结构，该障壁结构包括一设在所述阳极基板上方的刻蚀型介质层，该刻蚀型介质层上刻蚀有整数条相互平行的凹槽，所述凹槽的内壁表面依次设置有导电层和荧光粉层；以及

整数条相互平行的引流电极，该引流电极设于所述的阳极基板和刻蚀型介质层之间，且与所述的导电层导通；

所述的阴极板包括：

一阴极基板；

整数条引线电极，该引线电极相互平行的设置于所述阴极基板的下表面；

所述引线电极的左右两侧分别设置有整数条阴极电极，且该阴极电极处于所述凹槽的上方；以及

设置在所述阴极电极上的电子发射层。

7.根据权利要求6所述的障壁式场致发射显示器的结构，其特征在于：所述凹槽的横截面形状为半圆形或倒梯形。

8.根据权利要求6所述的障壁式场致发射显示器的结构，其特征在于：所述的刻蚀型介质层的厚度范围为30～5000μm，所述的刻蚀型介质层是刻蚀型介质浆料、低熔点玻璃粉浆料或是Si₃N₄、SiO₂、Al₂O₃、MgO、TiO₂、Ta₂O₅、SiC、氮化硼、硅酸盐中的一种或多种复合形成的无机化合物绝缘体材料。

9.根据权利要求6所述的障壁式场致发射显示器的结构，其特征在于：所述阴极电极是丝状阴极电极，其电极宽度范围为1~100μm，电极厚度范围为0.1~50μm。

10.根据权利要求9所述的障壁式场致发射显示器的结构，其特征在于：所述丝状阴极电极的横截面形状是梯形、半圆形或椭圆形。