[发明专利]超高导热金属基线路板及其制备方法、应用

权利要求书

1.一种超高导热金属基线路板，其特征在于：包括金属板材，所述金属板材的上方依次设有通过PVD方法镀的用于绝缘导热的AIN陶瓷涂层，以及用于导电的Cu涂层。

2.根据权利要求1所述的超高导热金属基线路板，其特征在于：所述AlN陶瓷涂层和Cu涂层之间还镀设有一层DLC涂层。

3.根据权利要求2所述的超高导热金属基线路板，其特征在于：当所述金属板材为非铝金属材料时，所述金属板材和AlN陶瓷涂层之间还镀设有一层起过渡作用的Al涂层。

4.根据权利要求3所述的超高导热金属基线路板，其特征在于：所述AlN陶瓷涂层的厚度为30～40微米；所述Cu涂层的厚度为30～60微米；所述DLC涂层的厚度为2～4微米；所述Al涂层的厚度为0.5～0.7微米。

5.一种如权利要求1-4所述的任一超高导热金属基线路板的制备方法，其特征在于：依次包括如下步骤，

第一，金属板材清洗步骤，用超声波设备清洗金属板材，并烘干；

第二，抽气预处理步骤，将所述金属板材安装于真空镀膜室中，并将真空镀膜室抽气至5.0×10^-3Pa以上的真空度；

第三，离子清洗步骤，将真空镀膜室的真空度抽至高于5.0×10^-4Pa，向真空镀膜室内通入99.999%以上纯度Ar，并保持真空镀膜室内的工艺真空度为0.3-0.7Pa；开启离子源电源及偏压电源；所述偏压电源采用高频脉冲电源，电压为-3kV，频率40kHz~60kHz，占空比60~99%，离子清洗时间为20分钟；

第四，AIN陶瓷涂层沉积步骤，真空度高于5.0×10^-4Pa，向真空镀膜室内通入99.999%以上纯度Ar，流量20sccm，同时通入99.999%以上纯度N₂，流量80sccm，并保持真空镀膜室内的工艺真空度为2.0~5.0Pa，开启溅射电源，电源功率20kW；并同时开启偏压电源，偏压电源采用射频电源，功率1.0kW；沉积时间240分钟；

第五，Cu涂层沉积步骤，将真空镀膜室的真空度抽至高于5.0×10^-4Pa，通入99.999%以上纯度Ar，流量20sccm，并保持真空镀膜室内的工艺真空度为2.0-5.0Pa，开启带有铜靶溅射阴极的直流溅射电源，电源功率10kW；沉积时间30~60分钟。

6.根据权利要求5所述的超高导热金属基线路板的制备方法，其特征在于：所述AIN陶瓷涂层沉积步骤中，所述偏压电源可采用高频脉冲偏压电源，电压50V~70V，频率40kHz~60kHz，占空比60~99%来代替。

7.根据权利要求5所述的超高导热金属基线路板的制备方法，其特征在于：所述AIN陶瓷涂层沉积步骤和Cu涂层沉积步骤之间还包括一DLC涂层沉积步骤，

当所述AIN陶瓷涂层沉积步骤结束后，关闭工艺气体，将真空镀膜室的真空度抽至高于5.0×10^-4Pa，通入纯度98%以上的碳氢类气体，并保持真空镀膜室内的工艺真空度为0.4-2.0Pa；

开启离子束电源，电压控制在1000-2000V，电流200~300mA，并同时开启偏压电源，偏压电源采用射频电源，功率0.5kW；沉积时间45~55分钟。

8.根据权利要求6所述的超高导热金属基线路板的制备方法，其特征在于：所述偏压电源可采用高频脉冲偏压电源，电压2000V~3000V，频率40kHz~60kHz，占空比60~99%来代替。

9.根据权利要求5所述的超高导热金属基线路板的制备方法，其特征在于：所述离子清洗步骤和AIN陶瓷涂层沉积步骤之间还包括一Al涂层沉积步骤，

将真空镀膜室的真空度抽至高于5.0×10^-4Pa，通入99.999%以上纯度Ar，流量20sccm，保持真空镀膜室的工艺真空度为2.0-5.0Pa，开启溅射电源，电源功率20kW，并同时开启偏压电源，采用高频脉冲偏压电源，电压2500V~3000V，频率40kHz~60kHz，占空比60~99%；沉积时间10分钟。

10.一种如权利要求1-4所述的任一超高导热金属基线路板的应用，其特征在于：所述超高导热金属基线路板作为LED封装基板。