[发明专利]钴靶材组件的制作方法有效
| 申请号： | 201210182775.6 | 申请日： | 2012-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN103451606A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;潘靖 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C18/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钴靶材 组件 制作方法 | ||
1.一种钴靶材组件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供钴靶材，所述钴靶材的钴含量大于90%；
利用化学镀工艺，在所述钴靶材焊接面上形成镍镀层；
将化学镀处理后的钴靶材焊接至背板。
2.根据权利要求1所述的钴靶材组件的制作方法，其特征在于，在所述钴靶材焊接面上形成镍镀层前还依次进行：
对所述钴靶材表面进行喷砂工艺；
对所述钴靶材表面进行活化处理；
对所述钴靶材表面进行水洗处理步骤。
3.根据权利要求2所述的钴靶材组件的制作方法，其特征在于，在对所述钴靶材表面进行喷砂工艺处理之前，以及在对所述钴靶材表面进行喷砂工艺之后、对所述钴靶材表面进行活化处理之前分别还包括对钴靶材表面清洗的步骤。
4.根据权利要求2所述的钴靶材组件的制作方法，其特征在于，对所述钴靶材表面进行活化处理的活化剂为体积百分比是5%~15%的氢氟酸溶液。
5.根据权利要求2所述的钴靶材组件的制作方法，其特征在于，对所述钴靶材表面进行活化处理时间为30s~60s。
6.根据权利要求2所述的钴靶材组件的制作方法，其特征在于，所述水洗处理采用纯净水或者去离子水进行。
7.根据权利要求1所述的钴靶材组件的制作方法，其特征在于，所述化学镀的镀液的PH值为4.0~5.0。
8.根据权利要求7所述的钴靶材组件的制作方法，其特征在于，所述化学镀的镀液的温度控制在80℃~90℃。
9.根据权利要求8所述的钴靶材组件的制作方法，其特征在于，所述化学镀的施镀时间控制在30min~60min。
10.根据权利要求1所述的钴靶材组件的制作方法，其特征在于，所述镍镀层的厚度为6μm~10μm。
11.根据权利要求1所述的钴靶材组件的制作方法，其特征在于，所述背板的材质为铜。
12.根据权利要求1所述的钴靶材组件的制作方法，其特征在于，所述背板的材质为铝，将化学镀处理后的钴靶材焊接至背板前，还进行利用化学镀工艺在所述背板的焊接面上形成镍层的步骤。
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