[发明专利]电子部件、半导体封装件和电子器件

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述的半导体封装件包括：

多个电子构件，所述电子构件由基板和半导体元件中的至少一个形成；

电极片，所述电极片形成在每一个所述电子构件上；

阻挡金属层，所述阻挡金属层被形成用于覆盖所述电极片；

CuNiSn合金层，所述CuNiSn合金层具有等于或低于2.3的平均Ni/Cu比率，并且被形成用于覆盖所述阻挡金属层；

含P的P-富含NiCuSnP层或含P的P-富含NiSnP层，其形成在所述阻挡金属层和所述CuNiSn合金层之间；和

焊料凸起，所述焊料凸起被形成，以经由所述阻挡金属层、所述CuNiSn合金层和所述含P的P-富含NiCuSnP层或所述含P的P-富含NiSnP层将形成在不同的电子构件上的所述电极片相互电连接，

其中所述阻挡金属层包含与所述含P的P-富含NiCuSnP层或所述含P的P-富含NiSnP层接触的CuNiP合金层，所述CuNiP合金层含有等于或高于15原子％的Cu、等于或高于40原子％的Ni和高于0原子％并且等于或低于25原子％的P。

2.一种电子器件，

其中所述电子器件包含电子部件，所述电子部件包括：

电极片，所述电极片形成在基板或半导体元件上；和

阻挡金属层，所述阻挡金属层被形成用于覆盖所述电极片，

其中所述阻挡金属层在与所述电极片相反的一侧上包含CuNiP合金层，所述CuNiP合金层含有等于或高于15原子％的Cu、等于或高于40原子％的Ni和高于0原子％并且等于或低于25原子％的P。

3.一种电子器件，

其中所述电子器件包含根据权利要求1所述的半导体封装件。