[发明专利]鳍型反熔丝结构及其制造方法

权利要求书

1.一种鳍型反熔丝结构，其特征在于，包括：

衬底；

平行排列于所述衬底上且垂直于所述衬底的多个鳍片；

位于所述衬底中且用于隔离各个鳍片的隔离结构；以及

沿所述鳍片排列方向围绕各个鳍片的栅介质以及围绕栅介质的栅电极，所述栅介质在所述鳍片排列区域内相互孤立。

2.如权利要求1所述的鳍型反熔丝结构，其特征在于，所述各个鳍片完全孤立；所述栅电极具有在鳍片排列区域相互孤立的部分以及按相间的鳍片上栅电极同侧延伸方式由相间的鳍片上向鳍片排列区域外的一侧延伸的汇总部分，且两个汇总部分分别为鳍型反熔丝结构两个端部。

3.如权利要求2所述的鳍型反熔丝结构，其特征在于，相邻的鳍片的栅电极侧壁之间还填充有电介质。

4.如权利要求1所述的鳍型反熔丝结构，其特征在于，相邻的鳍片的导电类型相反，且各个鳍片具有在鳍片排列区域相互孤立的部分以及按相间的鳍片同侧延伸方式向鳍片排列区域外的一侧延伸的汇总部分，相间的鳍片分别向鳍片排列区域外的一侧延伸的汇总部分汇总成两个位于鳍片排列区域两侧的所述鳍型反熔丝结构两个端部；刻蚀形成的各个栅电极位于鳍片排列区域且完全相互孤立。

5.如权利要求1所述的鳍型反熔丝结构，其特征在于，所述各个鳍片具有在鳍片排列区域相互孤立的部分以及向鳍片排列区域外的两侧延伸的汇总部分，所有鳍片向鳍片排列区域外的两侧延伸的汇总部分汇总成位于鳍片排列区域两侧的所述鳍型反熔丝结构的第一端部；所述栅电极位于鳍片排列区域内并整体覆盖并围绕所有鳍片的栅介质上，且为所述鳍型反熔丝结构的第二端部。

6.如权利要求1所述的鳍型反熔丝结构，其特征在于，围绕每个鳍片上的栅介质厚度不同。

7.如权利要求1至6中任一项所述的鳍型反熔丝结构，其特征在于，鳍片的排列密度不均匀。

8.一种鳍型反熔丝结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

形成平行排列于所述衬底上且垂直于所述衬底的多个鳍片；

在所述衬底中形成用于隔离各个鳍片底部的隔离结构；

在所述衬底、隔离结构及鳍片表面沉积栅介质层并刻蚀，形成沿鳍片排列方向围绕各个鳍片的栅介质，且所述栅介质在鳍片排列区域内相互孤立；

在所述衬底、隔离结构及栅介质表面沉积导电层并刻蚀形成围绕所述栅介质上的栅电极。

9.如权利要求8所述的鳍型反熔丝结构的制造方法，其特征在于，在衬底上形成的各个鳍片完全孤立，且刻蚀形成的栅电极具有在鳍片排列区域相互孤立的部分，以及按相间的鳍片上栅电极同侧延伸方式由相间的鳍片上向鳍片排列区域外的一侧延伸的汇总部分，且两个汇总部分别为鳍型反熔丝结构两个端部。

10.如权利要求9所述的鳍型反熔丝结构的制造方法，其特征在于，相邻的鳍片的栅电极侧壁之间还填充有电介质。

11.如权利要求8所述的鳍型反熔丝结构的制造方法，其特征在于，相邻的鳍片的导电类型相反，且各个鳍片具有在鳍片排列区域相互孤立的部分以及按相间的鳍片同侧延伸方式向鳍片排列区域外的一侧延伸的汇总部分，相间的鳍片分别向鳍片排列区域外的一侧延伸汇总部分汇总成两个位于鳍片排列区域两侧的所述鳍型反熔丝结构两个端部；且刻蚀形成的各个栅电极位于鳍片排列区域且完全相互孤立。

12.如权利要求8所述的鳍型反熔丝结构的制造方法，其特征在于，在衬底上形成的各个鳍片具有在鳍片排列区域相互孤立的部分以及向鳍片排列区域外的两侧延伸的汇总部分，所有鳍片向鳍片排列区域外的两侧延伸的汇总部分汇总成位于鳍片排列区域两侧的所述鳍型反熔丝结构的第一端部；且刻蚀形成的栅电极位于鳍片排列区域内并整体覆盖并围绕所有鳍片的栅介质上，且为所述鳍型反熔丝结构的第二端部。

13.如权利要求8所述的鳍型反熔丝结构的制造方法，其特征在于，围绕每个鳍片上的栅介质厚度不同。

14.如权利要求8至13中任一项所述的鳍型反熔丝结构的制造方法，其特征在于，鳍片的排列密度不均匀。