[发明专利]一种自偏置巨磁阻抗传感器探头及其制备方法

权利要求书

1.一种自偏置巨磁阻抗传感器探头，包括非晶带状磁性材料（2）和位于非晶带状磁性材料（2）表面两端的金属对电极（3）；其特征在于，所述金属对电极（3）之间的非晶带状磁性材料（2）两面分别沉积有一层钴铁氧体薄膜（1）；上下两层钴铁氧体薄膜（1）具有沿非晶带状磁性材料（2）长度方向一致的硬磁相特性。

2.根据权利要求1所述的自偏置巨磁阻抗传感器探头，其特征在于，所述钴铁氧体薄膜（1）厚度在200纳米到2微米之间。

3.一种自偏置巨磁阻抗传感器探头的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：准备非晶带状磁性材料；将非晶磁性薄带材料裁剪成相同大小的单元材料，记为非晶带状磁性材料（2），然后对非晶带状磁性材料（2）作清洁处理；

步骤2：沉积钴铁氧体薄膜；采用射频磁控溅射薄膜制备工艺，在清洁处理后的非晶带状磁性材料（2）两面沉积钴铁氧体薄膜（1）；

步骤3：光刻；采用光刻工艺，刻蚀掉两端部分钴铁氧体薄膜（1），在非晶带状磁性材料（2）表面留出金属对电极（3）的沉积位置；

步骤4：充磁；利用充磁机对非晶带状磁性材料（2）两面沉积的钴铁氧体薄膜（1）进行充磁处理，使得上下两层钴铁氧体薄膜（1）呈现出沿非晶带状磁性材料（2）长度方向一致的硬磁相特性；

步骤5：金属电极制备；在非晶带状磁性材料（2）表面留出的金属对电极（3）的沉积位置沉积金属材料作为金属对电极（3）。

4.根据权利要求3所述的自偏置巨磁阻抗传感器探头的制备方法，其特征在于，步骤1中所述清洁处理首先用常规弱酸、弱碱溶液清洗非晶带状磁性材料（2），然后用去离子水漂洗、干氮吹干待用。

5.根据权利要求3所述的自偏置巨磁阻抗传感器探头的制备方法，其特征在于，所述钴铁氧体薄膜（1）的厚度控制在200纳米到2微米之间。

6.根据权利要求3所述的自偏置巨磁阻抗传感器探头的制备方法，其特征在于，步骤2沉积钴铁氧体薄膜时的靶材为CoFe₂O₄；具体射频磁控溅射工艺为：背底真空<5×10^-6mbar，氩气工作气压9×10^-4～9×10^-3mbar，氧氩比0.1～0.25，射频溅射功率50-200W。

7.根据权利要求3所述的自偏置巨磁阻抗传感器探头的制备方法，其特征在于，步骤5制备金属对电极时，金属对电极可在非晶带状磁性材料（2）单面制备，也可在非晶带状磁性材料（2）两面制备。