[发明专利]具有多磁层及中间双成核膜的垂直磁记录盘

权利要求书

1.一种垂直磁记录盘，包括：

衬底；

在所述衬底上的导磁材料的衬层；

非磁中间层，位于所述衬层上并包括选自Ru和Ru合金的材料；

垂直磁记录层，包括：

第一磁层，包括在所述非磁中间层上的颗粒铁磁合金，该颗粒铁磁合金包括Co、Pt和Cr、以及Si、Ta、Ti、Nb和B中的一种或多种的一种或多种的氧化物；

在所述第一磁层上的第一成核膜，包括从Ru和基于Ru的合金选出的材料，并具有大于或等于0.1nm且小于或等于1.5nm的厚度；

在所述第一成核膜上的第二成核膜，包括从由Ta、Nb、Ti、Si、Mn和Hf组成的组选出的元素的一种或多种氧化物，并具有大于或等于0.2nm且小于或等于1.0nm的厚度；及

在所述第二成核膜上的颗粒铁磁合金的第二磁层，该颗粒铁磁合金包括Co、Pt和Cr、以及Si、Ta、Ti、Nb和B中的一种或多种的一种或多种的氧化物，其中所述第二磁层具有大于所述第一磁层的各向异性场的各向异性场。

2.如权利要求1所述的盘，其中所述第二成核膜是所述第一成核膜上的氧化物团簇的不连续膜，其中所述第二磁层与所述第二成核膜的氧化物团簇及所述第一成核膜接触。

3.如权利要求1所述的盘，其中所述第一成核膜是在所述第一磁层上的第一成核膜材料的共形膜。

4.如权利要求1所述的盘，其中所述第一成核膜是在所述第一磁层上的第一成核膜材料的不连续膜。

5.如权利要求1所述的盘，其中所述第一成核膜具有等于或大于0.5nm且小于或等于1.2nm的厚度。

6.如权利要求1所述的盘，其中所述第二成核膜具有等于或大于0.4nm且小于或等于0.8nm的厚度。

7.如权利要求1所述的盘，其中所述第一成核膜实质上由基于Ru的合金构成。

8.如权利要求7所述的盘，其中所述第一成核膜实质上由RuCr合金构成。

9.如权利要求1所述的盘，其中所述第一成核膜实质上由Ru_xCo_（100-x）构成，其中x是原子百分比且大于或等于30及小于或等于70。

10.如权利要求1所述的盘，其中所述第二成核膜实质上由Ta的氧化物构成。

11.如权利要求1所述的盘，其中所述第二成核膜实质上由氧化物构成，该氧化物选自Ti、Nb、Si、Mn或Hf的氧化物。

12.如权利要求1所述的盘，其中导磁材料的所述衬层由从合金CoFe、CoNiFe、NiFe、FeCoB、CoCuFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr、和CoZrNb组成的组选出的材料形成。

13.如权利要求1所述的盘，其中导磁材料的所述衬层是通过非磁膜隔开的多个导磁膜的叠层。

14.如权利要求13所述的盘，其中所述叠层中的所述非磁膜提供所述叠层中的所述导磁膜的反铁磁耦合。

15.一种垂直磁记录盘，包括：

衬底；

在所述衬底上的导磁材料的衬层；

非磁中间层，位于所述衬层上并包括选自Ru和Ru合金的材料；

垂直磁记录层，包括：

在所述非磁中间层上的第一磁层，包括颗粒铁磁合金，该颗粒铁磁合金包括Co、Pt和Cr、以及Si、Ta、Ti、Nb和B中的一种或多种的一种或多种的氧化物；

在所述第一磁层上的第一成核膜，实质上由Ru构成，并具有大于或等于0.1nm且小于或等于1.5nm的厚度；

在所述第一成核膜上的第二成核膜，其中所述第二成核膜是实质上由Ta的氧化物构成的团簇的不连续膜；及

在所述第二成核膜和部分所述第一成核膜上的颗粒铁磁合金的第二磁层，该颗粒铁磁合金包括Co、Pt和Cr、以及Si、Ta、Ti、Nb和B中的一种或多种的一种或多种的氧化物，其中所述第二磁层具有大于所述第一磁层的各向异性场的各向异性场。

16.如权利要求15所述的盘，其中所述第一成核膜是在所述第一磁层上的第一成核膜材料的共形膜。

17.如权利要求15所述的盘，其中所述第一成核膜是在所述第一磁层上的第一成核膜材料的团簇的不连续膜。