[发明专利]用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法

权利要求书

1.一种用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法，包括如下步骤：

1)在LED的电流扩展层的表面排列一单层紧密排列的自组装聚苯乙烯球；

2)在自组装聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶；

3)加热，将聚苯乙烯球气化，形成二氧化硅纳米碗阵列，该二氧化硅纳米碗阵列覆盖于电流扩展层的表面；

4)采用ICP干法刻蚀，把纳米碗阵列转移到电流扩展层上；

5)在BOE或HF溶液中处理，将电流扩展层表面残留的二氧化硅凝胶去除干净，形成电流扩展层的纳米碗阵列。

2.根据权利要求1所述的用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法，其中自组装聚苯乙烯球的直径为0.1-1um。

3.根据权利要求1所述的用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法，其中在聚苯乙烯球的间隙填充二氧化硅凝胶，其是用甩胶机使其分布均匀，先100-500转/min，时间为1-5s，再1000-8000转/min，时间为10-20s，使二氧化硅凝胶11均匀填充至聚苯乙烯球的间隙中。

4.根据权利要求1所述的用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法，其中将聚苯乙烯球气化加热的加热温度为400-600℃，时间为10-30min。

5.根据权利要求1所述的用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法，其中采用ICP干法刻蚀，刻蚀气体为Cl基气体，腔压为4mTorr，起辉功率300w，溅射功率50w，刻蚀时间800-1200s，或用稀盐酸等湿法腐蚀的方法完成图形转移，用稀盐酸腐蚀，时间为5-10min。

6.根据权利要求1所述的用于GaN基LED的ITO纳米碗阵列的粗化方法，其中在BOE或HF溶液中处理的时间为10-80s。