[发明专利]修复介质层损伤的方法

权利要求书

1.一种修复介质层损伤的方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成介质层，所述介质层的材料是低k介质材料或超低k介质材料，在所述介质层内形成互连结构，其中在形成互连结构的过程中产生介质层损伤；

在等离子体处理室内通入包括He和H₂的等离子体，对形成了互连结构的衬底进行等离子体处理，以修复所述介质层损伤。

2.如权利要求1所述的修复介质层损伤的方法，其特征在于，所述等离子体处理室的温度不超过450℃，所述处理室的压强范围在2-200mTorr之间，所述He的流量范围在10-500sccm之间，所述H₂的流量范围在10-100sccm，处理时间小于30分钟。

3.如权利要求1所述的修复介质层损伤的方法，其特征在于，所述等离子体处理的温度范围在210℃至420℃之间。

4.如权利要求1所述的修复介质层损伤的方法，其特征在于，所述H₂占所述等离子体体积的1%至10%。

5.如权利要求1所述的修复介质层损伤的方法，其特征在于，所述H₂占所述等离子体体积的4%至5%。

6.如权利要求1所述的修复介质层损伤的方法，其特征在于，所述等离子体处理室采用下游微波等离子体反应器。

7.如权利要求1所述的修复介质层损伤的方法，其特征在于，所述互连结构为大马士革互连结构。

8.如权利要求7所述的修复介质层损伤的方法，其特征在于，所述形成大马士革互连结构的步骤包括：

在所述衬底上依次形成刻蚀停止层、介质层；

在所述介质层上形成图形化的硬掩膜层，定义出沟槽的位置；

在所述图形化的硬掩膜层上形成图形化的光刻胶层，定义出通孔的位置；

以所述光刻胶层为掩膜刻蚀部分所述介质层，形成通孔；

去除所述光刻胶层；

以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述介质层，至暴露出所述刻蚀停止层，形成沟槽；

刻蚀所述刻蚀停止层，至暴露出所述导电层，去除所述硬掩膜层；

在所述沟槽和通孔中填充导电材料。

9.如权利要求8所述的修复介质层损伤的方法，其特征在于，在所述沟槽和通孔中填充导电材料的步骤包括：形成覆盖所述介质层并填充所述沟槽和通孔的导电材料层，平坦化所述导电材料层至暴露出所述介质层。

10.如权利要求9所述的修复介质层损伤的方法，其特征在于，在刻蚀所述介质层、去除所述光刻胶层、去除所述硬掩膜层、以及平坦化所述金属层的上述任一步骤过程中均产生介质层损伤。

11.如权利要求9所述的修复介质层损伤的方法，其特征在于，所述等离子体处理在平坦化所述导电材料层之后进行。

12.如权利要求9所述的修复介质层损伤的方法，其特征在于，所述导电材料是铜。

13.如权利要求9所述的修复介质层损伤的方法，其特征在于，采用电镀铜工艺形成导电材料层。

14.如权利要求8所述的修复介质层损伤的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料是TiN、BN或TaN。