[发明专利]小线宽沟槽式功率MOS晶体管的制备方法

权利要求书

1.小线宽沟槽式功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）刻蚀倾斜角度为87～89度的倒梯形沟槽；

2）在沟槽内生长厚度为的栅极氧化层，然后沉积厚度为的栅极多晶硅；

3）回刻栅极多晶硅，并过刻蚀至沟槽内部2000～3000埃；

4）沉积二氧化硅层间电介质，使沟槽上部完全填满；

5）回刻二氧化硅层间电介质，直至二氧化硅层间电介质与沟槽齐平，且外延层上残留的二氧化硅层间电介质厚度在200～300埃；

6）进行阱区和源区的注入，所述源区的注入深度为4000～5000埃；

7）回刻二氧化硅层间电介质至外延层的表层；

8）自对准接触孔刻蚀，形成接触孔和接触孔注入区；

9）沉积厚度为3.5～4微米的顶层金属，后续按照现有工艺完成功率MOS晶体管的制备。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1），采用等离子干法刻蚀方法刻蚀所述沟槽。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2），采用高温干氧工艺生长所述栅极氧化层，温度范围为900～1050℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2），采用化学气相沉积方法沉积所述栅极多晶硅，沉积温度为500～600摄氏度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3），采用等离子干法刻蚀方法回刻栅极多晶硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4），采用化学气相沉积方法沉积二氧化硅层间电介质。

7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，步骤4），所述二氧化硅层间电介质的厚度为7000～10000埃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5），用化学机械研磨方法回刻二氧化硅层间电介质。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤7），采用等离子干法刻蚀方法回刻二氧化硅层间电介质。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤8），采用等离子干法刻蚀方法刻蚀所述接触孔。