[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括：一基底、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，其特征在于：所述发光二极管进一步包括：一第一光学对称层设置于第二半导体层远离活性层的表面，一金属等离子体产生层设置于所述第一光学对称层远离活性层的表面，一第二光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离活性层的表面，所述第二光学对称层的等效折射率n₁，与所述基底、第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及第二光学对称层的等效折射率n₂的差值?n大于等于0小于等于0.5，其中?n=|n₁-n₂|。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属等离子体产生层的折射率为一复数，且该复数的虚部大于零或者小于零，且金属等离子体产生层的材料的介质常数为一复数，且该复数的实部为一个负数。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属等离子体产生层的材料为金属。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属等离子体产生层的材料为金属陶瓷，所述金属陶瓷层为金属材料和电介质材料构成的复合材料层。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述金属陶瓷的成分包括二氧化硅和银。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一光学对称层的折射率小于所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层形成的复合半导体层的折射率。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一光学对称层的材料为二氧化硅、氟化镁或氟化锂。

8.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一光学对称层的厚度为5纳米至40纳米。

9.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一光学对称层的折射率的值的范围为1.2至1.8。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二光学对称层的材料为硅、二氧化钛、氧化铪、氧化锆或者聚酰亚胺。

11.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二光学对称层的折射率大于所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层形成的复合半导体层的折射率。

12.如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述第二光学对称层的折射率的值的范围为2.5至3.4。

13.如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述第二光学对称层的厚度为1纳米至9纳米。

14.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二光学对称层的折射率小于所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层形成的复合半导体层的折射率。

15.如权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，所述第二光学对称层的厚度为50纳米至300纳米。

16.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管进一步包括多个三维纳米结构设置于第二半导体层远离活性层的表面。

17.如权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，所述多个三维纳米结构并排延伸，每一三维纳米结构沿其延伸方向上的横截面为M形，每一三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

18.如权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，所述第一光学对称层、金属等离子体产生层以及第二光学对称层依次层叠设置于所述多个三维纳米结构的表面。

19.如权利要求18所述的发光二极管，其特征在于，所述第一光学对称层、金属等离子体产生层以及第二光学对称层与所述多个三维纳米结构的起伏趋势相同。