[发明专利]发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：

步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；

步骤b：在基底的外延生长面外延生长一有源层，该有源层包括一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置；

步骤c：形成一金属等离子体产生层于所述第二半导体层远离基底的一侧；

步骤d：形成一折射率与所述有源层的整体的等效折射率之差小于0.3的第一光学对称层于金属等离子体产生层远离基底的表面；

步骤e：去除所述基底，暴露出所述第一半导体层；以及

步骤f：在所述第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与所述第二半导体层电连接。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤c中，所述金属等离子体产生层的材料为金属或金属陶瓷。

3.如权利要求2所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤c中，所述金属等离子体产生层的制备方法为蒸镀或溅射。

4.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤c中，所述金属陶瓷层的厚度为10纳米至30纳米。

5.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤b中，所制备得到的第二半导体层的厚度为5纳米至20纳米。

6.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤b结束后，所述步骤c进行之前进一步包括形成一第三光学对称层于所述第二半导体层远离基底的表面的步骤g，所述步骤c结束后，所述步骤d进行之前进一步包括形成一第四光学对称层于所述金属等离子体产生层远离基底的表面的步骤h。

7.如权利要求6所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所制备的第三光学对称层或所制备的第四光学对称层的厚度为5纳米至40纳米。

8.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤d中，所制备的第一光学对称层的厚度与有源层的整体厚度一致。

9.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤b结束后，所述步骤c进行之前进一步包括一形成多个三维纳米结构的步骤i。

10.如权利要求9所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤i包括以下阶段：

在所述第二半导体层远离基底的表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个条形凸起结构并排延伸，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽，所述第一半导体层通过该沟槽暴露出来；

刻蚀所述第二半导体层，在所述第二半导体层远离基底的表面形成多个凹槽，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合；以及

去除所述掩模层，在所述第一半导体层远离基底的表面形成多个M形三维纳米结构，从而形成一图案化的表面。

11.如权利要求10所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第二半导体层的过程中，掩模层中相邻两个条形凸起结构的顶端逐渐靠在一起，使所述多个条形凸起结构依次两两闭合，在所述相邻两个条形凸起结构闭合的过程中，对应闭合位置处的第一半导体层被刻蚀的速度小于未闭合位置处第二半导体层被刻蚀的速度。

12.如权利要求11所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述闭合的两个条形凸起结构之间的第二半导体层表面形成一第一凹槽，未闭合的相邻的两个条形凸起结构之间的第二半导体层表面形成一第二凹槽，且所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度，形成所述M形三维纳米结构。

13.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述基底的去除方法包括激光照射法、腐蚀法以及温差分离法。