[发明专利]发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：

步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；

步骤b：在基底的外延生长面外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，且所述第一半导体层、所述活性层以及所述第二半导体层依次层叠生长；

步骤c：形成一金属陶瓷层，其形成于所述第二半导体层远离基底的一侧；

步骤d：形成一第一电极及一第二电极，使第一电极与所述第一半导体层电连接，使第二电极与所述第二半导体层电连接。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属陶瓷层为金属材料和电介质材料的复合材料。

3.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属材料为金、银、铝、铜、金银合金、金铝合金或银铝合金。

4.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述电介质材料包括二氧化硅、硅以及陶瓷材料中的一种。

5.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属陶瓷层为银和二氧化硅的复合材料。

6.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤c中，所述金属陶瓷层的制备方法为蒸镀或溅射。

7.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤c中，所述金属陶瓷层的厚度为10纳米至30纳米。

8.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤b中，所制备得到的第二半导体层的厚度为5纳米至20纳米。

9.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤b结束后，所述步骤c进行之前进一步包括一形成多个三维纳米结构于所述第二半导体层的远离基底的表面。

10.如权利要求9所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤i包括以下阶段：

在所述第二半导体层远离基底的表面设置一图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个条形凸起结构并排延伸，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽，所述第二半导体层通过该沟槽暴露出来；

刻蚀所述第二半导体层，在所述第二半导体层远离基底的表面形成多个凹槽，使所述掩模层中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合；以及

去除所述掩模层，在所述第二半导体层远离基底的表面形成多个M形三维纳米结构，从而形成一图案化的表面。

11.如权利要求10所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第二半导体层的过程中，掩模层中相邻两个条形凸起结构的顶端逐渐靠在一起，使所述多个条形凸起结构依次两两闭合，在所述相邻两个条形凸起结构闭合的过程中，对应闭合位置处的第一半导体层被刻蚀的速度小于未闭合位置处第二半导体层被刻蚀的速度。

12.如权利要求10所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述闭合的两个条形凸起结构之间的第二半导体层表面形成一第一凹槽，未闭合的相邻的两个条形凸起结构之间的第二半导体层表面形成一第二凹槽，且所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度，形成所述M形三维纳米结构。

13.如权利要求9所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述形成于第二半导体层之上的金属陶瓷层随着形成于第二半导体层远离基底的表面的三维纳米结构的起伏而起伏。

14.如权利要求9所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤i结束后，所述步骤c进行之前进一步包括一形成一保护层于所述多个三维纳米结构远离基底的表面，所述保护层随着三维纳米结构的起伏而起伏。

15.一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：

步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；

步骤b：在基底的外延生长面外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层，且所述第一半导体层、所述活性层以及所述第二半导体层依次层叠生长；

步骤c：形成一保护层于所述第二半导体层远离基底的表面及形成一金属陶瓷层于所述保护层远离基底的表面；

步骤d：形成一第一电极及一第二电极，使第一电极与所述第一半导体层电连接，使第二电极与所述第二半导体层电连接。