[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括：

一第一半导体层，所述第一半导体层具有相对的一第一表面及一第二表面；

一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于所述第一半导体层的第二表面，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层构成一有源层；

一第一电极覆盖所述第一半导体层的第一表面；

一第二电极与所述第二半导体层电连接；

其特征在于：进一步包括，

一第三光学对称层设置于所述第二半导体层远离基底的表面并接触设置，所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；

一金属层设置于所述第三光学对称层远离基底的表面并接触设置；

一第四光学对称层设置于所述金属层远离基底的表面并接触设置，所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5；以及

一第一光学对称层设置于所述第四光学对称层远离基底的表面并接触设置，所述第一光学对称层的折射率n₁与所述缓冲层和有源层的整体的等效折射率n₂的差值?n₁小于等于0.3，其中?n₁=|n₁-n₂|。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属层的材料为金、银、铝、铜、金银合金、金铝合金或银铝合金。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第三光学对称层的折射率与所述第四光学对称层的折射率一致。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第三光学对称层或者所述第四光学对称层的材料分别为二氧化硅、氟化镁或氟化锂。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第三光学对称层或所述第四光学对称层的厚度分别为5纳米至40纳米。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一光学对称层的折射率的值的范围为2.0至3.5。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一光学对称层的材料为二氧化钛、氧化铪、氧化锆或者聚酰亚胺。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一光学对称层的厚度与有源层的整体厚度一致。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构设置于所述第一半导体层、活性层、第二半导体层、第三光学对称层、金属层、第四光学对称层或第一光学对称层的表面。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述多个三维纳米结构并排延伸，每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度。

11.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，每个三维纳米结构沿其延伸方向上的横截面为M形。