[发明专利]用于发光二极管的光学元件、发光二极管、LED装置以及制造LED装置的方法无效

专利信息
申请号: 201210185981.2 申请日: 2007-09-17
公开(公告)号: CN102709457A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: M.罗斯;S.韦伯-拉布西尔伯;A.威尔姆 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58;H01L33/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 臧永杰;刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 发光二极管 光学 元件 led 装置 以及 制造 方法
【说明书】:

本申请是申请日为2007年9月17日、申请号为200780037144.2、发明名称为“用于发光二极管的光学元件、发光二极管、LED装置以及制造LED装置的方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种用于发光二极管(LED)的光学元件、一种带有光学元件的发光二极管、一种带有多个发光二极管的LED装置以及一种用于制造LED装置的方法。

背景技术

为获得不同的光分布,目前使LED与匹配到特定情形的光学系统一起使用。因此,针对任何新的照明应用都需要自身的光学系统。

发明内容

本发明的任务是说明一种用于发光二极管的光学元件,利用该光学元件可以简化地构成一种LED装置,该LED装置具有多个发光二极管和该LED装置的预先给定的辐射特性。此外,还说明了一种具有这样的光学元件的发光二极管以及一种具有多个发光二极管的LED装置。而且,还应说明一种简化具有预先给定的辐射特性的LED装置的制造的方法。

该任务通过独立权利要求的主题来解决。本发明的有利的扩展方案和改进方案为从属权利要求的主题。

在一种实施形式中设置了一种用于发光二极管的光学元件,其中辐射出射面适于产生违反旋转对称性的辐射特性。这样的光学元件尤其是适用于在LED装置中被布置在支承体上的发光二极管,其中给该LED装置预先给定辐射特性。

在一种实施形式中,发光二极管具有辐射出射面和光学元件,其中该光学元件被布置并被构造为使得该发光二极管具有带有被违反的旋转对称性的辐射特性。

在一种实施形式中,LED装置具有多个被布置在支承体上的发光二极管,其中分别给所述发光二极管分配自身的光学元件,该自身的光学元件被布置和被构造为使得相应的发光二极管的辐射特性被成形为具有被违反的对称性,并且其中光学元件以相似的方式、尤其是相同地被实施。

具有被违反的对称性、尤其是旋转对称性的辐射特性尤其是可被理解为如关于光学元件的光轴有针对性地与旋转对称的辐射特性偏离的辐射特性。

在本发明的范围内,仅需要具有非径向对称的辐射特性的光学系统。通过将支承体上的包括该光学系统在内的单个或多个LED转动0o到90o之间、优选地大于0o和小于90o地布置,可能实现LED装置的不同的光分布。最终得到的光分布在这种情况下由各个LED的光分布的组合得到。在此,包括光学系统在内的各个LED之间的转动角可以相同或不同。

通过使装备有光学元件的LED适当地转动并且尤其是相对应转动地安装在支承体上,可以解决不同的照明任务,而不必针对每种情形重新匹配光学系统。该光学元件可以例如被实施为透镜、反射器,或者被实施为透镜和反射器的组合。

尤其是,可以利用配备有同类的光学元件的LED,通过转动的布置来构造LED装置的彼此不同的辐射特性。也就是,决定性的优点在于:针对新的光分布只须匹配LED的旋转,而不必设计和制造新的光学系统。通过将单个LED的分别与旋转对称性偏离的辐射特性适当地叠加,可以以简单且低成本的方式调整为该LED装置预先给定的辐射特性。

虽然预先给定的辐射特性也会通过特定开发用于相应照明情形的光学元件(例如透镜、反射器)来实现,但是该辐射特性的变型也可以以简单的方式通过将LED相对于彼此地布置在支承体上来实现。

也可以考虑构造该支承体以影响光分布。例如,可在支承体上固定镜面反射元件(Spiegelelement)或者多个镜面反射元件,或者可以将镜面反射元件或者多个镜面反射元件构造在支承体中。此外,该支承体可以挠性地被构造,以致可以通过相对应地弄弯该支承体来改变该LED装置的辐射特性。

随后针对光学元件或针对发光二极管所描述的特征可应用于至少一个光学元件或可应用于LED装置的至少一个发光二极管,优选地可应用于所有光学元件或LED装置的所有发光二极管。通过使用同类的、尤其是相同的光学元件或发光二极管,简化了LED装置与预先给定的辐射特性的匹配。

在优选的扩展方案中,光学元件的辐射出射面在俯视中稍带长形地被构造。

尤其是,光学元件(4)的辐射出射面(40)的纵向变形(a)与该辐射出射面(40)的横向变形(b)在俯视到辐射出射面上的比为1.5:1或更大,优选地为2:1或更大,特别优选地为3:1或更大,最优选地为4:1或更大。

纵向变形与横向变形之间的比越大,则该辐射特性越强烈地偏离旋转对称的形状。

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