[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种横向双扩散金属氧化物半导体元件，形成于一第一导电型基板中，该基板具有一上表面，其特征在于，包含：

一第二导电型高压井区，形成于该上表面下的该基板中；

一第一场氧化区，形成于该上表面上，由俯视图视之，该第一场氧化区位于该高压井区中；

一栅极，形成于该上表面上，且该栅极包括一第一部分，位于该第一场氧化区上；

一第二导电型源极与一第二导电型漏极，分别形成于该栅极两侧的该上表面下方；

一第一导电型本体区，形成于该上表面下该基板中，与该源极位于该栅极同侧，且该源极位于该本体区中；以及

至少一第二场氧化区，形成于该上表面上，由俯视图视之，该第二场氧化区位于该第一场氧化区与该漏极之间。

2.如权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体元件，其中，该第一场氧化区与该至少一第二场氧化区之间，定义至少一开口区，该开口区于该上表面下方的第二导电型杂质浓度，高于该第一场氧化区与该第二场氧化区下方的第二导电型杂质浓度。

3.如权利要求2所述的横向双扩散金属氧化物半导体元件，其中，该栅极更包括一第二部分，位于该开口区上方的该上表面上，且该第二部分具有一介电层，与该上表面连接。

4.如权利要求3所述的横向双扩散金属氧化物半导体元件，其中，该栅极更包括一第三部分，位于该第二场氧化区上方。

5.如权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体元件，其中，横向双扩散金属氧化物半导体元件包含多个第二场氧化区，并在该第一场氧化区与相邻的第二场氧化区之间、以及相邻的第二场氧化区之间，定义多个开口区，该开口区于该上表面下方的第二导电型杂质浓度，高于该第一场氧化区与该第二场氧化区下方的第二导电型杂质浓度。

6.如权利要求5所述的横向双扩散金属氧化物半导体元件，其中，由俯视图视之，相对较靠近该漏极的该开口区面积大于相对较靠近该第一场氧化区的该开口区面积。

7.如权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体元件，其中，该本体区与该基板间由该高压井区隔开，以使该本体区与该基板电性不直接连接；或至少部分该本体区与该基板连接，或经由一第一导电型连接井区连接该基板，以使该本体区与该基板电性连接。

8.一种横向双扩散金属氧化物半导体元件制造方法，其特征在于，包含：

提供一第一导电型基板，该基板具有一上表面；

形成一第一场氧化区与至少一第二场氧化区于该上表面上；

形成一第二导电型高压井区于该上表面下的该基板中，由俯视图视之，该第二导电型高压井区的范围包含该第一场氧化区与该至少一第二场氧化区；

形成一栅极于该上表面上，且该栅极包括一第一部分，位于该第一场氧化区上；以及

形成一第二导电型源极与一第二导电型漏极于该栅极两侧的该上表面下方，并形成一第一导电型本体区于该上表面下该基板中，与该源极位于该栅极同侧，且该源极位于该本体区中，其中该漏极位于最远离该栅极的该第二场氧化区的外侧；

其中，该高压井区形成于该第一场氧化区与该第二场氧化区形成之后，以使得该高压井区中的第二导电型杂质浓度的分布，相关于该第二场氧化区的位置。

9.如权利要求8所述的横向双扩散金属氧化物半导体元件制造方法，其中，该第一场氧化区与该至少一第二场氧化区之间，定义至少一开口区，该开口区于该上表面下方的第二导电型杂质浓度，高于该第一场氧化区与该第二场氧化区下方的第二导电型杂质浓度。

10.如权利要求9所述的横向双扩散金属氧化物半导体元件制造方法，其中，该栅极更包括一第二部分，位于该开口区上方的该上表面上，且该第二部分具有一介电层，与该上表面连接。

11.如权利要求10所述的横向双扩散金属氧化物半导体元件制造方法，其中，该栅极更包括一第三部分，位于该第二场氧化区上方。

12.如权利要求8所述的横向双扩散金属氧化物半导体元件制造方法，其中，横向双扩散金属氧化物半导体元件包含多个第二场氧化区，并在该第一场氧化区与相邻的第二场氧化区之间、以及相邻的第二场氧化区之间，定义多个开口区，该开口区于该上表面下方的第二导电型杂质浓度，高于该第一场氧化区与该第二场氧化区下方的第二导电型杂质浓度。