[发明专利]一种基于KTN晶体二次电光效应的激光偏转调制方法

权利要求书

1.一种基于KTN晶体二次电光效应的激光偏转调制方法，其特征是，

（1）以经过铜离子掺杂的立方相Cu:KTa_1-xNb_xO₃晶体为偏转元件；所述晶体组分中Nb含量x为0.3~0.5；

（2）晶体偏转元件按照晶面正对晶体结晶轴方向加工为长方体块体，所述晶体的结晶轴为a、b、c轴，其中定义晶体生长方向为c轴；

（3）在KTN晶体样品两个相对的（010）晶面上制作金属电极，所述金属电极的制作方法为：先以离子溅射或真空蒸镀的方法在晶面上镀上一层金属纳米薄膜，后在金属薄膜层上增涂银导电胶；或者是仅在晶面上镀上一层金属纳米薄膜，或者仅在晶面上涂银导电胶；

（4）在高于KTN晶体居里点1~2℃精确控温的条件下按照如下步骤实施激光偏转：

i.施加平行于晶体b轴的电场；

ii  激光光束沿c轴入射；

iii.光束偏振方向调节至平行于电场方向偏振。

2.如权利要求1所述的基于KTN晶体二次电光效应的激光偏转方法，其特征是，所述步骤（1）晶体中Cu²⁺离子掺杂重量百分比为0.1%至0.5%。

3.如权利要求1或2所述的基于KTN晶体二次电光效应的激光偏转方法，其特征是，所述步骤（3）金属电极的制作方法为：以离子溅射的方法在晶面上镀上一层金属纳米薄膜，后在金属薄膜层上增涂银导电胶。

4.如权利要求1或2所述的基于KTN晶体二次电光效应的激光偏转方法，其特征是，所述步骤（4）激光光束为532nm绿光或者633nm红光。