[发明专利]LED芯片键合方法及LED芯片有效
| 申请号： | 201210186840.2 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN102694089A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 封飞飞;张昊翔;金豫浙;万远涛;李东昇;江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B23K35/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 方法 | ||
1.一种LED芯片键合方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上顺次形成有外延层、欧姆接触层、第一粘结层、第一钎料阻挡层及第一键合层；
提供基板，所述基板上顺次形成有第二粘结层、第二钎料阻挡层及第二键合层；
在第一键合层表面和/或第二键合层表面形成钎料层，所述钎料层的材料为金属或者合金；
将所述衬底与基板贴合，其中，所述钎料层的表面为贴合面，直至所述钎料层完全扩散至所述第一键合层及第二键合层。
2.如权利要求1所述的LED芯片键合方法，其特征在于，所述钎料层的材料为熔点小于等于400℃的金属或者含熔点小于400℃金属的合金。
3.如权利要求1所述的LED芯片键合方法，其特征在于，所述钎料层的材料为Sn、In、Pb、Bi、SnxCu1-x、SnxPb1-x、BixSn1-x、PbxSbySn1-x-y、SnxAg1-x或SnxAgyCu1-x-y。
4.如权利要求1所述的LED芯片键合方法，其特征在于，所述钎料层扩散至所述第一键合层及第二键合层后，形成混合层，所述混合层在600℃以下物化性能稳定。
5.如权利要求4所述的LED芯片键合方法，其特征在于，所述混合层的材料为合金。
6.如权利要求5所述的LED芯片键合方法，其特征在于，所述混合层的材料为NixSn1-x、NixIn1-x、CuxSn1-x、CrxIn1-x或TixIn1-x。
7.如权利要求1所述的LED芯片键合方法，其特征在于，所述第一键合层及第二键合层的材料为Pt、Ni、Ti、Cu和Cr中的一种。
8.如权利要求1所述的LED芯片键合方法，其特征在于，所述第一钎料阻挡层及第二钎料阻挡层的材料为Pt、Ni、TiW、W、TiN和TiWN中的一种或组合。
9.如权利要求1所述的LED芯片键合方法，其特征在于，所述第一粘结层和第二粘结层的材料为Ti、Cr或Ni。
10.如权利要求1至9中的任一项所述的LED芯片键合方法，其特征在于，在所述欧姆接触层和第一粘结层之间还形成有反射镜层和/或反射镜阻挡层。
11.如权利要求1至9中的任一项所述的LED芯片键合方法，其特征在于，所述钎料层、第一键合层、第二键合层、第一钎料阻挡层、第二钎料阻挡层、第一粘结层及第二粘结层均通过热蒸发、电子束蒸发、溅射、电镀或喷涂的方式形成。
12.如权利要求1至9中的任一项所述的LED芯片键合方法，其特征在于，所述LED芯片的结构为垂直结构或者倒装结构。
13.一种LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的外延层、欧姆接触层、第一粘结层、第一钎料阻挡层及混合层；
位于所述混合层上的第二钎料阻挡层、第二粘结层及基板。
14.如权利要求13所述的LED芯片，其特征在于，所述混合层在600℃以下物化性能稳定。
15.如权利要求13所述的LED芯片，其特征在于，所述混合层的材料为合金。
16.如权利要求15所述的LED芯片，其特征在于，所述混合层的材料为NixSn1-x、NixIn1-x、CuxSn1-x、CrxIn1-x或TixIn1-x。
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