[发明专利]具有控制装置的蒸镀装置

说明书

本申请是申请日为2008年02月27日、申请号为200880007035.0、发明名称为“蒸镀装置的控制装置及蒸镀装置的控制方法”的发明申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及蒸镀装置的控制装置及蒸镀装置的控制方法，特别是涉及蒸镀装置的成膜速度的控制。

背景技术

在制造平板显示器等电子设备时，广泛使用如下的蒸镀技术，即，通过将规定的成膜材料气化，使气化后的成膜分子附着于被处理体上，而对被处理体成膜。使用该蒸镀技术制造的设备当中，有机EL显示器及液晶显示器，特别是在被预测会大型化的平板显示器的制造业界，预计今后需求不断增大的移动设备的制造业界中备受关注。

在此种社会背景中，在使用蒸镀技术制造设备之时，为了通过在被处理体上均匀地形成优质的膜来提高产品的性能，高精度地控制在被处理体上的成膜速度（D/R：Deposition Rate）非常重要。为此，以往提出过如下的方法，即，在基板的附近配置膜厚传感器，基于利用膜厚传感器检测出的结果，调整蒸镀源的温度，以使成膜速度达到一定（例如参照日本特开2005-325425号公报）。

但是，这种通过温度调整控制成膜速度当中，加热开始后到蒸镀源实际地达到期望的温度之前需要数十秒以上，响应性差。对该温度控制的响应性差是因蒸镀源本身的热容或成膜材料的比热而产生的，是由利用加热器产生的热量使成膜材料的温度改变前的传热状态差造成的。

此外，即使从温度控制起经过数十秒后蒸镀源达到了期望的温度，在收纳于蒸镀源中的成膜材料以期望的气化速度稳定地气化之前，也还需要很多的时间。此种响应性差会妨碍高精度地控制成膜速度。

另一方面，作为控制成膜速度的其他的方法，也可以考虑如下的做法，即，在连接使成膜材料气化的蒸镀源和喷出气化后的成膜材料的喷出口的连接管中设置阀门，通过调整该阀门的开度来控制从喷出口喷出的成膜分子的量。

但是，该方法中，由于需要将蒸镀装置保持为真空状态，因此需要准备应对真空用高热的阀门，从而使成本升高。另外，阀门内部的结构复杂，很难将阀门的内部一律保持为期望的温度，另外，因阀门的滞后，会对高精度地控制成膜速度造成妨碍。

特别是，与成膜材料为熔融型材料的情况（即，固体材料在蒸镀源内变为液体后蒸发的情况）相比，在成膜材料为升华型材料的情况下（即，固体材料在蒸镀源内不变为液体而蒸发的情况），会有收纳于蒸镀源中的成膜材料在被消耗的过程中屡次在蒸镀源内发生崩落的状况的情况。该情况下，由于蒸镀源与成膜材料的接触状态急剧地改变，因此成膜材料的气化速度快速地变化，其结果是，导致成膜速度快速地变化。但是，在利用温度来控制成膜速度的控制方法中，由于上述的响应性的问题，很难立刻地跟踪细微的成膜速度的变化。由此，在温度控制中，特别是对在有机EL材料中较多的升华型材料无法高精度地控制成膜速度。

发明内容

为了消除上述问题，本发明中，提供高精度地控制成膜速度的蒸镀装置的控制装置及蒸镀装置的控制方法。

即，为了解决上述问题，根据本发明的某个方式，提供一种蒸镀装置的控制装置，其利用载气输送在蒸镀源中气化后的成膜材料，利用所输送的成膜材料在期望的真空状态下对被处理体进行成膜处理。该蒸镀装置的控制装置具有：存储部，其存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的表格；成膜速度运算部，其基于从用于检测成膜速度的第一传感器中输出的信号，求出在被处理体上的成膜速度；载气调整部，其使用存储于上述存储部中的表格所示的表示成膜速度与载气流量的关系的数据，基于利用上述成膜速度运算部求出的成膜速度和作为目标的成膜速度，为了获得期望的成膜速度而调整流入上述蒸镀源的载气的流量。

这里所说的气化不仅包括液体变为气体的现象，还包括固体不经过液体的状态而直接变为气体的现象（即升华）。

这样的话，例如就可以基于由QCM（Quartz Crystal Microbalance）等第一传感器输出的信号，实时地算出在被处理体上的成膜速度。另外，在表格中，存储有表示成膜速度与载气流量的关系的数据。它根据的是发明人等作为通过反复多次的实验而导出的成膜速度与载气的流量的相关关系的结果所得到的信息。使用收纳于该表格中的信息，基于所算出的成膜速度和作为目标的成膜速度，为了获得期望的成膜速度而调整载气的流量。

通过载气流量的调整所进行的成膜速度的控制与温度调整的情况相比，响应性好。由此就可以将成膜速度高精度地控制为期望的速度。这样就可以在被处理体上均匀地形成更为优质的膜。