[发明专利]实现高温高压的连续流动型微流控芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种连续流动型微流控芯片，其特征在于，包括入口、混合区、加热区、增压区和出口，各部分之间通过微流体通道依次连接；

所述混合区实现反应物的混合；

所述加热区设有加热电阻，提供高温的反应环境；

所述增压区为高流阻区，为所述加热区提供高压环境；

所述加热区和和所述增压区设有测温传感电阻。

2.如权利要求1所述的连续流动型微流控芯片，其特征在于，所述入口为两个，分别输入两种参与反应的液体。

3.如权利要求1或2所述的连续流动型微流控芯片，其特征在于，所述混合区将所述加热区与所述增压区隔开。

4.如权利要求3所述的连续流动型微流控芯片，其特征在于，所述混合区与所述加热区之间，以及所述混合区与所述增压区之间设有隔热槽。

5.如权利要求1所述的连续流动型微流控芯片，其特征在于，在连接所述加热区与所述增压区的通道上设有测温传感电阻，用于辅助了解所述微流控芯片的温度分布。

6.如权利要求1所述的连续流动型微流控芯片，其特征在于，在所述增压区设有加热电阻，用于改变所述增压区的压强提升值。

7.如权利要求1、5或6所述的连续流动型微流控芯片，其特征在于，所述加热电阻和所述传感电阻为Pt电阻。

8.一种连续流动型微流控芯片的制备方法，其步骤包括：

1）对硅片进行光刻和DRIE刻蚀，定义微流体通道图形；

2）通过硅-玻璃阳极键合制作混合区、加热区和增压区的微流体通道；

3）采用等离子体增强化学气相沉积方法淀积SiO₂，并在SiO₂上剥离制作测温传感电阻和加热电阻；

4）通过光刻和深反应离子刻蚀制作入口和出口。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，通过光刻和深反应离子刻蚀制作隔热槽。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述入口处粘合有机玻璃模具。