[发明专利]基于半导体碳纳米管的级联红外光探测器无效

专利信息
申请号: 201210186935.4 申请日: 2012-06-07
公开(公告)号: CN102723348A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 王胜;彭练矛;曾庆圣;张志勇;杨雷静 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L31/102;H01L31/0224;B82Y15/00
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人: 李稚婷
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基于 半导体 纳米 级联 红外光 探测器
【权利要求书】:

1.一种基于半导体碳纳米管的级联器件作为红外光探测器的用途,所述级联器件以半导体碳纳米管作为吸光材料和导电通道,半导体碳纳米管的两端是非对称的金属电极:一端为钯电极,另一端为钪或钇电极;在所述非对称的金属电极之间的导电通道上具有n-1个虚电极对,将导电通道分为串联在一起的n个单元器件;所述虚电极对由连在一起的钯虚电极和钪或钇虚电极组成,其中钯虚电极在靠近钪或钇电极一侧,钪或钇虚电极在靠近钯电极一侧,n为大于1的正整数;将所述非对称的金属电极中的一个接地,另一个与电压测量电路或者电压表连接;当红外光照射该级联器件时,所述半导体碳纳米管吸收红外光,产生的光电压信号由所述电压测量电路或电压表测得。

2.如权利要求1所述的用途,其特征在于,所述半导体碳纳米管是单根的半导体碳纳米管,或者是由多根半导体碳纳米管平行排列构成的碳纳米管薄膜。

3.如权利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述半导体碳纳米管是本征半导体碳纳米管。

4.如权利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述单元器件的导电通道长度为1~2微米。

5.如权利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述虚电极对中的钯虚电极和钪或钇虚电极之间部分重叠。

6.如权利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述级联器件由一层能透过红外光的氧化物或者有机封装材料包覆。

7.如权利要求6所述的用途,其特征在于,所述氧化物是氧化铪或氧化硅。

8.如权利要求6所述的用途,其特征在于,所述有机封装材料是聚甲基丙烯酸甲酯。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210186935.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top