[发明专利]基于半导体碳纳米管的级联红外光探测器无效
申请号: | 201210186935.4 | 申请日: | 2012-06-07 |
公开(公告)号: | CN102723348A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 王胜;彭练矛;曾庆圣;张志勇;杨雷静 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/102;H01L31/0224;B82Y15/00 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人: | 李稚婷 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 半导体 纳米 级联 红外光 探测器 | ||
1.一种基于半导体碳纳米管的级联器件作为红外光探测器的用途,所述级联器件以半导体碳纳米管作为吸光材料和导电通道,半导体碳纳米管的两端是非对称的金属电极:一端为钯电极,另一端为钪或钇电极;在所述非对称的金属电极之间的导电通道上具有n-1个虚电极对,将导电通道分为串联在一起的n个单元器件;所述虚电极对由连在一起的钯虚电极和钪或钇虚电极组成,其中钯虚电极在靠近钪或钇电极一侧,钪或钇虚电极在靠近钯电极一侧,n为大于1的正整数;将所述非对称的金属电极中的一个接地,另一个与电压测量电路或者电压表连接;当红外光照射该级联器件时,所述半导体碳纳米管吸收红外光,产生的光电压信号由所述电压测量电路或电压表测得。
2.如权利要求1所述的用途,其特征在于,所述半导体碳纳米管是单根的半导体碳纳米管,或者是由多根半导体碳纳米管平行排列构成的碳纳米管薄膜。
3.如权利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述半导体碳纳米管是本征半导体碳纳米管。
4.如权利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述单元器件的导电通道长度为1~2微米。
5.如权利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述虚电极对中的钯虚电极和钪或钇虚电极之间部分重叠。
6.如权利要求1或2所述的用途,其特征在于,所述级联器件由一层能透过红外光的氧化物或者有机封装材料包覆。
7.如权利要求6所述的用途,其特征在于,所述氧化物是氧化铪或氧化硅。
8.如权利要求6所述的用途,其特征在于,所述有机封装材料是聚甲基丙烯酸甲酯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的