[发明专利]一种吡喃类含氟化合物、制备方法及其用途有效
申请号: | 201210186974.4 | 申请日: | 2012-06-07 |
公开(公告)号: | CN102718736A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 杭德余;梁现丽;姜天孟;田会强;陈海光;高立龙;班全志;贺树芳 | 申请(专利权)人: | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 |
主分类号: | C07D309/04 | 分类号: | C07D309/04;C07D309/06;C09K19/34 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王朋飞;张庆敏 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吡喃类含 氟化 制备 方法 及其 用途 | ||
1.一种吡喃类含氟化合物,其结构如通式(I)所示:
其中,R1和R2独立地选自C1~C12的烷基或烷氧基、或C2~C12的烯基;L1和L2选自F或H,且L1和L2中的一个或两个为F;表示六元环中一个-CH2-被氧原子取代的1,4-亚环己基。
2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,其结构如通式(II)所示:
3.根据权利要求1或2所述的化合物,其特征在于,R1和R2独立地选自C1~C7的烷基或烷氧基、或C2~C7的烯基。
4.根据权利要求3所述的化合物,其特征在于,包括如下化合物:
5.权利要求1-4任一项所述吡喃类含氟化合物的制备方法,其特征在于,所述吡喃类含氟化合物的合成路线如下:
其中,R1、R2和如权利要求1-4任一项所定义;化合物(a)中的X代表卤素。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,化合物(a)中的X代表氯或溴。
7.根据权利要求5或6所述的制备方法,其特征在于,所述吡喃类化合物的制备方法包括以下步骤:
(1)将化合物(a)制成格氏试剂,然后在氯化铈存在下与化合物(b)反应生成化合物(c);
(2)化合物(c)在酸催化下脱水形成化合物(d);
(3)化合物(d)依次进行硼氢化和氧化,得到醇化合物(e);
(4)将化合物(e)直接进行氟化反应,得单氟取代的化合物(f),或先将化合物(e)中的羟基氧化成酮基,然后进行氟化反应,得双氟取代的化合物(h)。
8.权利要求1-4任一项所述吡喃类含氟化合物在制备液晶材料中的用途。
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