[发明专利]基于全解耦LC谐振回路的振荡器拓扑及解耦方法

权利要求书

1.一种基于谐振回路的振荡器，包括：

一个或更多个有源器件；

一个或更多个无源器件；以及

使用所述一个或更多个无源器件中的至少一个来与所述有源器件解耦的谐振电路，

其中在所述谐振电路与所述一个或更多个有源器件之间的耦合比被设定以使所述谐振电路的振荡振幅的最大值仅基于所述一个或更多个无源器件的击穿来限定。

2.根据权利要求1所述的基于谐振回路的振荡器，其中所述一个或更多个有源器件仅受所述振荡振幅的所述最大值的一部分的影响。

3.根据权利要求1所述的基于谐振回路的振荡器，其中所述振荡振幅的所述最大值基于所述一个或更多个无源器件中的至少一个的击穿电压和击穿电流中的至少一个来确定。

4.根据权利要求1所述的基于谐振回路的振荡器，其中所述一个或更多个无源器件包括无源解耦器件。

5.根据权利要求1所述的基于谐振回路的振荡器，其中所述一个或更多个有源器件包括一个或更多个MOSFET或者一个或更多个双极结晶体管。

6.根据权利要求5所述的基于谐振回路的振荡器，其中所述一个或更多个MOSFET的漏极和栅极被独立地偏置以控制所述谐振电路的所述振荡振幅。

7.根据权利要求5所述的基于谐振回路的振荡器，其中所述一个或更多个双极结晶体管的集电极和基极被独立地偏置以控制所述谐振电路的所述振荡振幅。

8.根据权利要求1所述的基于谐振回路的振荡器，其中所述一个或更多个无源器件至少包括第一和第二电容器，所述一个或更多个有源器件是构成第一和第二有源器件的N沟道金属氧化物场效应晶体管或双极结晶体管，所述第一和第二有源器件中的每个有源器件都至少具有漏极或集电极和栅极或基极，并且其中所述第一有源器件的所述栅极或基极与所述第一电容器的一侧及所述第二有源器件的所述漏极或集电极连接，所述第二有源器件的所述栅极或基极与所述第二电容器的一侧及所述第一有源器件的所述漏极或集电极连接，以及所述谐振电路被连接于所述第一电容器的另一侧与所述第二电容器的另一侧之间以使所述谐振电路与所述第一和第二有源器件解耦。

9.根据权利要求1所述的基于谐振回路的振荡器，其中所述一个或更多个无源器件至少包括第一、第二、第三及第四电容器，所述一个或更多个有源器件是构成第一和第二有源器件的N沟道金属氧化物场效应晶体管或双极结晶体管，所述第一和第二有源器件中的每个有源器件都至少具有漏极或集电极和栅极或基极，并且其中所述第一有源器件的所述栅极或基极与所述第一电容器的一侧及所述第三电容器的一侧连接，所述第二有源器件的所述栅极或基极与所述第二电容器的一侧及所述第四电容器的一侧连接，所述第一电容器的另一侧与所述第二有源器件的所述漏极或集电极连接，所述第二电容器的另一侧与所述第一有源器件的所述漏极或集电极连接，以及所述谐振电路被连接于所述第三电容器的另一侧与所述第四电容器的另一侧之间以使所述谐振电路与所述第一和第二有源器件解耦。

10.根据权利要求1所述的基于谐振回路的振荡器，其中所述一个或更多个无源器件至少包括第一、第二、第三、第四电容器及第五电容器，所述一个或更多个有源器件是构成第一和第二有源器件的N沟道金属氧化物场效应晶体管或双极结晶体管，所述第一和第二有源器件中的每个有源器件都至少具有漏极或集电极和栅极或基极，并且其中所述第一有源器件的所述栅极或基极与所述第一电容器的一侧及所述第五电容器的一侧连接，所述第二有源器件的所述栅极或基极与所述第二电容器的一侧及所述第五电容器的另一侧连接，所述第一电容器的另一侧与所述第二有源器件的所述漏极或集电极及所述第四电容器的一侧连接，所述第二电容器的另一侧与所述第一有源器件的所述漏极或集电极及所述第三电容器的一侧连接，以及所述谐振电路被连接于所述第三电容器的另一侧与所述第四电容器的另一侧之间以使所述谐振电路与所述第一及第二有源器件解耦。