[发明专利]光掩模基板及制造方法、光掩模制造方法和图案转印方法

说明书

技术领域

本发明涉及被用于液晶显示装置用光掩模等的光掩模(photo mask)基板。尤其涉及在利用接近式(proximity)曝光装置进行图案(pattern)转印时使在被转印体上形成的图案的形状精度（线宽精度、坐标精度等）提高的光掩模基板、以及利用了该光掩模基板的光掩模坯料(photo mask blank)、光掩模的制造方法和图案转印方法等。

背景技术

专利文献1记载了一种在将光掩模和被转印体接近配置来进行曝光的接近式曝光机中，作为用于使因光掩模的自重而导致的挠曲减轻的挠曲修正机构，具有分别保持光掩模的两侧2个边的掩模支承体(mask holder)、和分别从上方对被该掩模支承体保持的光掩模的两侧的边缘部进行按压的2个挠曲修正条(bar)（参照图1（a）、（b））。

专利文献2中记载了一种在接近式曝光装置中，对光掩模的挠曲进行修正的掩模保持装置。这里，记载了一种利用大小(size)与掩模大致相同的框型形状的掩模支承体来保持掩模，在光掩模的上方形成气密室，利用气密室的气压与外气压之差使光掩模上浮以抵消光掩模的自重，从而修正挠曲的方法（参照图2）。

在专利文献3中，对于当在曝光装置内水平保持大尺寸的光掩模基板的实际使用时，基板发生挠曲而得不到所希望的平坦度这一课题，记载了一种使这样的基板高平坦化的玻璃基板。

【专利文献1】日本特开2009－260172公报

【专利文献2】日本特开2003－131388公报

【专利文献3】日本专利第4362732号

最近，在制造液晶显示装置等显示装置时，要求通过所使用的光掩模的大型化来实现生产效率提高，并要求高的转印精度。液晶显示装置具备形成有TFT（薄膜晶体管(thin film transistor)）阵列(array)的TFT基板与形成有RGB图案的CF（滤色器(color filter)）被贴合并且在其间封入液晶的构造。这样的TFT基板、CF通过使用多个光掩模，并应用光刻(photolithography)工序来制造。近年来，伴随着作为最终产品的液晶显示装置的明亮度、动作速度等规格的高度化，光掩模的图案越来越精细化，作为转印结果的线宽精度、坐标精度的要求日趋严格。

发明内容

鉴于此，本发明的目的在于，提供一种即使是精细化了的转印用图案也能够忠实于图案设计值且高精度地进行转印的光掩模基板、利用了该光掩模基板的光掩模坯料、光掩模的制造方法以及利用了该光掩模的制造方法的图案转印方法等。

本发明的第1方式涉及一种光掩模基板，

该光掩模基板用于形成为光掩模，该光掩模在主表面形成转印用图案，用于通过安装于接近式曝光装置而与所述接近式曝光装置的载置台所载置的被转印体之间设置接近间隙(proximity gap)地进行曝光，来转印所述转印用图案，

通过在所述主表面上的1个或者多个特定区域中进行除去量与该特定区域外的周边区域不同的形状加工，形成凹形状、凸形状或者凹凸形状，来降低将所述光掩模基板安装到所述接近式曝光装置时产生的所述接近间隙的由位置引起的变动，并且，

所述形状加工使从所述接近间隙的由位置引起的变动中提取出的所述接近式曝光装置所固有的变动降低。

本发明的第2方式基于第1方式所述的光掩模基板而提出，

被进行了所述形状加工的主表面具有基于所述提取出的所述接近式曝光装置所固有的变动而决定的修正形状。

本发明的第3方式基于第1或第2方式所述的光掩模基板而提出，

所述形状加工是在所述主表面上仅对包括所述提取出的所述接近式曝光装置所固有的变动超过规定间隙(gap)变动允许值的区域的特定区域进行的加工。

本发明的第4方式基于第1～3中任意一项所述的光掩模基板而提出，

所述形状加工是在所述主表面上形成1个或者多个凹部的加工。

本发明的第5方式涉及一种光掩模基板的制造方法，其中，该光掩模基板用于形成为光掩模，该光掩模在主表面形成有转印用图案，用于通过安装于接近式曝光装置而与所述接近式曝光装置的载置台所载置的被转印体之间设置接近间隙地进行曝光，来转印所述转印用图案，在该光掩模基板的制造方法中，

对所述主表面上的多个位置处的接近间隙进行测定，

提取出所述接近间隙的由位置引起的变动中的所述接近式曝光装置所固有的变动，

基于提取出的所述接近式曝光装置所固有的变动和规定的间隙变动允许值，来决定所述光掩模基板的主平面的修正形状，