[发明专利]一种具有光耦保护功能的模块有效

专利信息
申请号: 201210187729.5 申请日: 2012-06-07
公开(公告)号: CN102709880A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 苏卡;吴建良;马晓辉;吴洁 申请(专利权)人: 无锡市晶源微电子有限公司
主分类号: H02H7/00 分类号: H02H7/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 214028 江苏省无锡市国家*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 有光 保护 功能 模块
【权利要求书】:

1.一种具有光耦保护功能的模块,其特征在于:其包括采样比较器、LEB前沿触发模块、控制逻辑模块和触发锁存模块;

所述采样比较器用于检测检测电压DET的大小,根据输入电压的大小来判断是否触发保护,负输入端接基准电压VREF,正输入端接检测电压DET,输出端连接控制逻辑模块的第一输入端;

所述LEB前沿触发模块用于消隐由外部功率MOS管关闭的时候,变压器辅助绕组出现的尖峰电压,使系统不会误触发,其输入端连接DRV信号,此信号是驱动输出管得反馈信号,输出端连接所述控制逻辑模块的第二个输入端;

所述控制逻辑模块用于控制时序,其第三输入端连接使能信号POR,此信号用于上电复位;

所述触发锁存模块输入端接所述控制逻辑模块的输出端,用于由控制逻辑模块输出的触发信号来触发锁存,锁存后电源电压被下拉,使系统关闭,保护整个系统,要使系统开启,则必须系统掉电后从新上电。

2.根据权利要求1所述的一种具有光耦保护功能的模块,其特征在于:

所述采样比较器包括输入差分NMOS管N3、NMOS管N4、PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、NMOS管N1、NMOS管N2、电流源I1和反相器I2; NMOS管N3的栅端接检测电压DET,漏端接PMOS管P1的漏端和栅端;PMOS管P1的栅漏短接接PMOS管P2的栅端;PMOS管P1和PMOS管P2的源端接低压电源电压VCC;PMOS管P2的漏端接PMOS管P3的栅端和差分NMOS管N4的漏端,NMOS管N4的栅端接基准电压VREF,差分NMOS管N4的源端接NMOS管N3的源端,NMOS管N3和NMOS管N4源端的公共连接点连接NMOS管N2的漏端, NMOS管N1栅漏短接连接NMOS管N2的栅端和NMOS管N5的栅端;NMOS管N5的漏端连接PMOS管P3的漏端;NMOS管N1漏端与电源电压VCC之间连接有电流源I1;NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4和NMOS管N5的源端接地;NMOS管N5的漏端和PMOS管P3的漏端接反相器I2的输入端,反相器I2的输入端连接到逻辑控制模块的输入端;

所述LEB前沿触发模块包括反相器I4、反相器I5、施密特触发器I6、反相器I7、PMOS管P4、PMOS管P5、和电流源I3;驱动信号DRV连接输入反相器I4的输入端,反相器I4的输出端连接反相器I5的输入端,反相器I5的输出端连接NMOS管N6的栅端,NMOS管N6的漏端连接PMOS管P5的漏端,电容C1的一端和施密特触发器I6的输入端 ,PMOS管P4的栅端和漏端短接连接到PMOS管P5的栅端,电流源I3连接到PMOS管P4的栅端和漏端的连接点,以提供PMOS管P4静态电流;PMOS管P4、PMOS管P5源端接电源电压VCC;电容C1、电流源I3的另一端和NMOS管N6的源端接地;施密特触发器I6的输入端连接反相器I7的输入端,反相器I7的输入端连接到逻辑控制模块的输入端; 

所述控制逻辑模块包括与非门I8、反相器I9、反相器I10、或非门I11和或非门I12;反相器I7和反相器I2的输入端接与非门I8的输入端,与非门I8的输出端接反相器I9的输入端;反相器I10的输入端接使能信号POR;或非门I11和或非门I12 组成RS触发器,反相器I9和反相器I10的输出端分别接RS触发器的R端和S端;所述RS触发器输出连接到所述触发锁存模块的输入端;

所述触发锁存模块包括高压PMOS管P6、NMOS管N7、NMOS管N8、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5; NMOS管N7的栅端连接电阻R1的一端 ,NMOS管N7的漏端连接低压电源VCC,NMOS管N7的源端连接电阻R2的一端、电阻R3的一端和高压NMOS管N8的栅端 ,电阻R1的另一个端、电阻R2的另一个端 和高压NMOS管N8的源端连接在一起连接到地;电阻R3的另一端连接到高压PMOS管P6的漏端,高压PMOS管P6的栅端连接电阻R4的一端和电阻R5的一端,电阻R4的另一端连接高压NMOS管N8的漏端,电阻R5的另一端连接高压PMOS管P6的源端,其公共的连接点接高压电源电压VDD。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡市晶源微电子有限公司,未经无锡市晶源微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210187729.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top