[发明专利]单面三维线路芯片倒装先蚀后封制造方法及其封装结构

权利要求书

1.一种单面三维线路芯片倒装先蚀后封制造方法，所述方法包括以下步骤：

步骤一、取金属基板

步骤二、金属基板表面预镀铜

在金属基板表面镀一层铜材薄膜；

步骤三、贴光阻膜作业

在完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤四、金属基板背面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜；

步骤五、电镀惰性金属线路层

在步骤四中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上惰性金属线路层；

步骤六、电镀金属线路层

在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上多层或是单层金属线路层；

步骤七、去除光阻膜

步骤八、包封

将步骤七中的金属基板背面采用塑封料进行塑封；

步骤九、贴光阻膜作业

在步骤八的金属基板正面以及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤十、塑封料表面开孔

在金属基板背面预包封塑封料的表面进行开孔作业；

步骤十一、挖沟槽

在塑封料表面进行后续电路线的挖沟槽动作；

步骤十二、电镀导电金属

在金属基板背面电镀一层导电金属；

步骤十三、金属化前处理

在基板背面进行电镀金属线路层的金属化前处理；

步骤十四、电镀金属线路层

在步骤十三中的金属基板背面镀上多层或是单层金属线路层；

步骤十五、去除光阻膜

步骤十六、包封

将步骤十五中的金属基板背面再塑封一层塑封料；

步骤十七、贴光阻膜作业

在金属基板的正面以及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤十八、金属基板正面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤十七完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜；

步骤十九、化学蚀刻

将步骤十八中完成曝光显影的区域进行化学蚀刻；

步骤二十、电镀金属线路层

在惰性金属线路层表面镀上单层或是多层的金属线路层，金属电镀完成后即在金属基板上形成相应的引脚或基岛和引脚或基岛、引脚和静电释放圈；

步骤二十一、去除光阻膜

步骤二十二、装片及芯片底部填充

在步骤二十的引脚正面或基岛正面和引脚正面倒装芯片及芯片底部填充环氧树脂；

步骤二十三、包封

将完成装片后的金属基板正面进行塑封料包封工序；

步骤二十四、塑封料表面开孔

在金属基板背面预包封塑封料的表面进行后续要植金属球的区域进行开孔作业；

步骤二十五、清洗

在金属基板背面塑封料开孔处进行氧化物质、有机物质的清洗；

步骤二十六、植球

在金属基板背面塑封体开孔处内植入金属球；

步骤二十七、切割成品

将步骤二十六完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得单芯片倒装先蚀刻后封装基岛埋入封装结构，可采用常规的钻石刀片以及常规的切割设备即可。

2.一种如权利要求1所述的单面三维线路芯片倒装先蚀后封封装结构，其特征在于它包括芯片（11）和引脚（16），所述芯片（11）的正面倒装于引脚（16）正面，所述芯片（11）底部与引脚（16）正面之间设置有底部填充胶（10），所述引脚（16）与引脚（16）之间的区域、引脚（16）上部的区域、引脚（16）下部的区域以及芯片（11）外均包封有塑封料（6），所述引脚（16）背面的塑封料（6）上开设有第二小孔12），所述第二小孔（132）与引脚（16）背面相连通，所述第二小孔（12）内设置有金属球（14），所述金属球（14）与引脚（16）背面相接触。

3.根据权利要求1所述的一种单面三维线路芯片倒装先蚀后封的制作方法，其特征在于：所述步骤二十五对金属基板背面塑封料开孔处进行清洗同时进行金属保护层被覆。

4.根据权利要求2所述的一种单面三维线路芯片倒装先蚀后封的封装结构，其特征在于：所述封装结构包括基岛（15），所述芯片（11）的正面倒装于基岛（15）正面和引脚（16）正面，所述芯片（11）底部与基岛（15）正面和引脚（16）正面之间设置有底部填充胶（10）。