[发明专利]一种大尺寸钒酸铋单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201210188943.2 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102677172A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李国岭;李立本;王丹丹;陈志红;黄东;陈庆东 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 孙笑飞 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 钒酸铋单晶 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大尺寸钒酸铋单晶的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）、将纯度为99.99%的Bi2O3和V2O5按1：1的摩尔比均匀混合，然后压制成料块；
（2）、将步骤（1）压制的料块装入刚玉杯中，然后放置到马弗炉内，在温度为800 oC的条件下，恒温烧结10小时；
（3）、将步骤（2）烧结后的原料装入直径150mm、高80mm、壁厚2.2mm的铱坩埚，然后放入单晶提拉炉中，在提拉炉内冲入N2气氛，并保留适量空气，使炉中氧分压为1%；
（4）、以<100>方向的YVO4晶体作为籽晶；
（5）、启动单晶提拉炉，控制铱坩埚底部温度为960—980 oC，生长晶体提拉速度为1 mm/h，转速为8 rpm；
（6）、晶体停止生长后，关闭单晶提拉炉，放置24小时，使生长的晶体冷却至室温；
（7）、将生长的晶体取出，即获得直径100 mm以上，高度60 mm以上的BiVO4单晶。
2.如权利要求1所述的一种大尺寸钒酸铋单晶的制备方法，其特征在于：所述的YVO4晶体的生长方向为<100>或<111>。
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