[发明专利]自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210189035.5 申请日: 2012-06-08
公开(公告)号: CN102701773A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 李小强;郑东海;李元元;屈盛官;杨超 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C04B35/81 分类号: C04B35/81;C04B35/56;C04B35/622
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 盛佩珍
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 自生 氮化 硅晶须增韧 碳化 复合材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料,其特征在于:所述碳化钨复合材料含氮化硅晶须、氧化钇与氧化铝添加剂,其余为碳化钨以及不可避免的杂质相;所述氮化硅晶须为原位自生β-Si3N4晶须,其质量百分比为3.7~18.6%;所述氧化钇添加剂的质量百分比为0.1~1.2%;所述氧化铝添加剂的质量百分比为0.1~1.2%。

2.根据权利要求1所述的自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料,其特征在于:所述原位自生β-Si3N4晶须的长径比≥3。

3.自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料的制备方法,其特征在于:所述制备方法包括如下步骤及其工艺条件:

步骤一:备料

将WC、α-Si3N4、Al2O3、Y2O3粉末按下述质量百分比配比原料粉末:WC 80~95%,α-Si3N44.6~18.6%,Y2O30.1~1.2%,Al2O30.1~1.2%,其中Y2O3+Al2O3≥0.4%,其余为不可避免的微量杂质;

步骤二:粉末混合

将上述原料粉末置于有机或无机溶剂中进行湿式低能球磨,制得混合浆料;

步骤三:粉末干燥与过筛

将上述混合浆料置于干燥炉内烘干至溶剂残余量≤1%,然后碾碎、过筛,得到颗粒尺寸≤250μm的混合粉末;

步骤四:烧结混合粉末

采用放电等离子烧结技术对上述混合粉末进行成型和烧结。

4.根据权利要求3所述的自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料的制备方法,其特征在于:所述Al2O3+Y2O3与α-Si3N4的质量比≥7/93。

5.根据权利要求3所述的自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料的制备方法,其特征在于:所述有机溶剂为乙醇,无机溶剂为水。

6.根据权利要求3所述的自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料的制备方法,其特征在于:所述放电等离子烧结为一步烧结工艺或两步烧结工艺。

7.根据权利要求6所述的自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料的制备方法,其特征在于:所述一步烧结工艺条件如下:

烧结电流类型为直流脉冲电流,

烧结压力:30~70MPa,

烧结升温速率:50~300℃/min,

烧结温度:1700~1900℃,

烧结保温时间:0~20min,

烧结真空度:≤4Pa。

8.根据权利要求3所述的自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料的制备方法,其特征在于:所述两步烧结工艺条件如下:

第一步:

烧结电流类型为直流脉冲电流,

烧结压力:30~70MPa,

烧结升温速率:50~300℃/min,

烧结温度:1700~1750℃,

烧结保温时间:0min,

烧结真空度:≤4Pa;

第二步:

烧结电流类型为直流脉冲电流,

烧结压力:30~70MPa,

降温速率:50~100℃/min,

烧结温度:1450~1600℃,

烧结保温时间:10~30min,

烧结真空度:≤4Pa。

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