[发明专利]自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201210189035.5 | 申请日: | 2012-06-08 |
公开(公告)号: | CN102701773A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 李小强;郑东海;李元元;屈盛官;杨超 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C04B35/81 | 分类号: | C04B35/81;C04B35/56;C04B35/622 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 盛佩珍 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自生 氮化 硅晶须增韧 碳化 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料,其特征在于:所述碳化钨复合材料含氮化硅晶须、氧化钇与氧化铝添加剂,其余为碳化钨以及不可避免的杂质相;所述氮化硅晶须为原位自生β-Si3N4晶须,其质量百分比为3.7~18.6%;所述氧化钇添加剂的质量百分比为0.1~1.2%;所述氧化铝添加剂的质量百分比为0.1~1.2%。
2.根据权利要求1所述的自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料,其特征在于:所述原位自生β-Si3N4晶须的长径比≥3。
3.自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料的制备方法,其特征在于:所述制备方法包括如下步骤及其工艺条件:
步骤一:备料
将WC、α-Si3N4、Al2O3、Y2O3粉末按下述质量百分比配比原料粉末:WC 80~95%,α-Si3N44.6~18.6%,Y2O30.1~1.2%,Al2O30.1~1.2%,其中Y2O3+Al2O3≥0.4%,其余为不可避免的微量杂质;
步骤二:粉末混合
将上述原料粉末置于有机或无机溶剂中进行湿式低能球磨,制得混合浆料;
步骤三:粉末干燥与过筛
将上述混合浆料置于干燥炉内烘干至溶剂残余量≤1%,然后碾碎、过筛,得到颗粒尺寸≤250μm的混合粉末;
步骤四:烧结混合粉末
采用放电等离子烧结技术对上述混合粉末进行成型和烧结。
4.根据权利要求3所述的自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料的制备方法,其特征在于:所述Al2O3+Y2O3与α-Si3N4的质量比≥7/93。
5.根据权利要求3所述的自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料的制备方法,其特征在于:所述有机溶剂为乙醇,无机溶剂为水。
6.根据权利要求3所述的自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料的制备方法,其特征在于:所述放电等离子烧结为一步烧结工艺或两步烧结工艺。
7.根据权利要求6所述的自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料的制备方法,其特征在于:所述一步烧结工艺条件如下:
烧结电流类型为直流脉冲电流,
烧结压力:30~70MPa,
烧结升温速率:50~300℃/min,
烧结温度:1700~1900℃,
烧结保温时间:0~20min,
烧结真空度:≤4Pa。
8.根据权利要求3所述的自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料的制备方法,其特征在于:所述两步烧结工艺条件如下:
第一步:
烧结电流类型为直流脉冲电流,
烧结压力:30~70MPa,
烧结升温速率:50~300℃/min,
烧结温度:1700~1750℃,
烧结保温时间:0min,
烧结真空度:≤4Pa;
第二步:
烧结电流类型为直流脉冲电流,
烧结压力:30~70MPa,
降温速率:50~100℃/min,
烧结温度:1450~1600℃,
烧结保温时间:10~30min,
烧结真空度:≤4Pa。
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