[发明专利]一种铝电解槽侧墙用不烧SiC-C砖及方法

权利要求书

1.一种铝电解槽侧墙用不烧SiC-C砖，其特征在于所述的SiC-C不烧砖以碳化硅、石墨和金属硅粉为原料，外加碳素结合剂，具体质量百分组成为：

2.按权利要求1所述的不烧SiC-C砖，其特征在于：

a)所述的碳化硅为颗粒级配，颗粒级配的质量比例为;

5-3mm:3-1mm:200目碳化硅＝0-1:1.5-5.0:0-1；

b)所述的石墨为天然石墨、电极碳或它们的组合；

c)所述的硅粉粒度小于0.088mm；

d)所述碳素结合剂的粘度为1-20Pa·S，残碳量大于30%。

3.按权利要求1或2所述的不烧SiC-C砖，其特征在于：

a)所述的碳化硅纯度为90%以上；

b)所述的石墨纯度为90%以上，粒度为≤0.6mm；

c)所述的硅粉纯度为95%以上，Fe₂O₃含量<0.5%；

d)所述的碳素结合剂为酚醛树脂、呋喃树脂或改性沥青树脂。

4.按权利要求1或2所述的不烧SiC-C砖，其特征在于：

a)所述的碳化硅纯度为97-98%以上；

b)所述的石墨纯度>95%以上，粒度为≤0.15mm。

5.按权利要求3所述的不烧SiC-C砖，其特征在于：

a)所述的碳化硅纯度为97-98%以上；

b)所述的石墨纯度>95%以上，粒度为≤0.15mm。

6.按权利要求3所述的不烧SiC-C砖，其特征在于所述的碳素结合剂的残碳量为42-45%。

7.制备如权利要求1或2所述的不烧SiC-C砖，其特征在于将SiC、石墨和硅粉及外加碳素结合剂按比例在混料机内混料，混料后再用压砖机成型，成型后的砖坯经120-300℃低温固化处理。

8.按权利要求7所述的方法，其特征在于：

a)所述的压砖机为振动加压成型机、摩擦压砖机或液压机；

b)所述的砖坯低温固化温度为180-200℃。

9.按权利要求7或8所述的方法，其特征在于低温固化后砖坯的水份控制在小于0.3%以内。