[发明专利]一种促进钛酸钾晶须生长的方法无效
申请号: | 201210189429.0 | 申请日: | 2012-06-11 |
公开(公告)号: | CN102677143A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 商少明;孙芳;刘瑛;陈新;宋健 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | C30B1/10 | 分类号: | C30B1/10;C30B29/32 |
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地址: | 214122 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 促进 钛酸钾晶 须生 方法 | ||
1.一种促进钛酸钾晶须生长的方法,其特征是方法采用了晶须生长促进剂及水,与主要原料充分混合;焙烧采用薄料层一次焙烧或较厚料层两次焙烧的方式。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征是晶须生长促进剂是由一种相对熔点低或易挥发钾盐以及一种低燃点无机或有机物粉末组合而成。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其特征是相对熔点低或易挥发钾盐为氟化钾、氯化钾、氢氧化钾、硝酸钾,主要原料与易挥发钾盐按100∶3~9质量分数混合;低燃点无机或有机物粉末为活性炭、淀粉、草酸、羧甲基纤维素,主要原料与低燃点无机或有机物粉末按100∶5~10质量分数混合。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征是主要原料与水按100∶0.2~2质量分数混合。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征是薄料层是指焙烧时物料的堆积厚度为0.1~3cm;较厚料层是指焙烧时物料的堆积厚度为3~10cm。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征是一次焙烧方式低温段温度500~900℃,保温时间1~5小时,高温段温度700~1000℃,保温时间2~7小时。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征是两次焙烧方式加热温区温度700~1000℃,第一次焙烧保温时间1~5小时,第二次焙烧保温时间2~7小时。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征是焙烧采用的高温炉为隧道炉或推板窑、或井式炉或立式烧结炉、或旋转炉。
9.根据权利要求1或权利要求7所述的方法,其特征是两次焙烧均采用隧道炉或推板窑,一次焙烧冷却后,经破碎、粉碎过筛,再进行二次焙烧;或一次焙烧采用隧道炉或推板窑,出料冷却后,经破碎、粉碎过筛,二次焙烧采用旋转炉;或一次焙烧采用旋转炉,二次焙烧采用隧道炉或推板窑。
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